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1. (WO2014098251) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE FILM DE g-C3N4 ET UTILISATION DUDIT FILM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/098251    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/084543
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 24.12.2013
CIB :
C01B 21/082 (2006.01), C01B 3/04 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01), B01J 35/02 (2006.01)
Déposants : RIKEN [JP/JP]; 2-1, Hirosawa, Wako-shi, Saitama 3510198 (JP)
Inventeurs : MIYAJIMA, Daigo; (JP).
ARAZOE, Hiroki; (JP).
KAWAMOTO, Masuki; (JP).
AKAIKE, Kouki; (JP).
KOIZUMI, Yoshiko; (JP).
AIDA, Takuzo; (JP)
Mandataire : HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-280283 21.12.2012 JP
Titre (EN) g-C3N4 FILM PRODUCTION METHOD, AND USE OF SAID FILM
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE FILM DE g-C3N4 ET UTILISATION DUDIT FILM
(JA) g-Cフィルムの製造方法およびその利用
Abrégé : front page image
(EN)In order to provide g-C3N4 capable of being handled conveniently and with ease, a compound represented by X+mYm- (X+ represents a guanidium ion or the like, and Ym- represents a negative ion) is used as a starting material and heated, the compound or a reactant thereof is vaporized, deposited on a heated base-material surface carrying a negative charge or having π-electrons provided thereto, and polymerized upon the base material to form the g-C3N4, thereby producing a g-C3N4 film.
(FR)Afin d'obtenir du g-C3N4 pouvant être manipulé commodément et avec facilité, un composé représenté par X+ mYm- (X+ représente un ion guanidium ou analogue, et Ym- représente un ion négatif) est utilisé en tant que matière de départ et chauffé, le composé ou un réactif de celui-ci est vaporisé, déposé sur une surface de matériau de base chauffée portant une charge négative ou présentant des électrons π qui lui sont fournis, et polymérisé sur le matériau de base pour former le g-C3N4, ce qui permet d'obtenir un film de g-C3N4.
(JA) 簡便かつ容易な取り扱いが可能なg-Cを提供するために、Xm-で表される化合物(Xは、グアニジウムイオン等であり、Ym-は陰イオンである)を原料として加熱し、当該化合物またはその反応物を気化させて、表面が負電荷を帯びているまたは表面にπ電子を有している加熱した基材の表面に付着させ、当該基材上で重合させてg-Cを生成させて、g-Cのフィルムを製造する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)