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1. (WO2014098146) SUBSTRAT ISOLANT TRANSLUCIDE POUR CELLULE SOLAIRE À FILM MINCE, ET CELLULE SOLAIRE À FILM MINCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/098146    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/083940
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 18.12.2013
CIB :
H01L 31/0236 (2006.01), H01L 31/046 (2014.01), C03C 15/00 (2006.01), C03C 19/00 (2006.01)
Déposants : KANEKA CORPORATION [JP/JP]; 3-18, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308288 (JP)
Inventeurs : TAINOSHO, Akira; (JP).
SASAKI, Toshiaki; (JP)
Mandataire : SHINTAKU, Masato; IZANAGI IP LAW FIRM, Toa Bldg., 5-7, Minamihonmachi 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410054 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-276279 18.12.2012 JP
Titre (EN) TRANSLUCENT INSULATING SUBSTRATE FOR THIN-FILM SOLAR CELL, AND THIN-FILM SOLAR CELL
(FR) SUBSTRAT ISOLANT TRANSLUCIDE POUR CELLULE SOLAIRE À FILM MINCE, ET CELLULE SOLAIRE À FILM MINCE
(JA) 薄膜太陽電池用透光性絶縁基板、および薄膜太陽電池
Abrégé : front page image
(EN)This translucent insulating substrate (1) for a thin-film solar cell has a first principal surface and a second principal surface, the first principal surface having an unevenness formation region in which a dimple-shaped unevenness is formed on the surface. The unevenness formation region on the first principal surface has a two-dimensionally-expanded root-mean-square roughness (Sq) of 0.4 to 4.0 μm and an average unevenness period (Rsm) of 5 to 30 μm. Using this translucent insulating substrate makes it possible to improve the Jsc of the thin-film solar cell while suppressing any decrease in FF and Voc.
(FR)La présente invention concerne un substrat isolant translucide (1) destiné à une cellule solaire à film mince et présentant une première surface principale et une deuxième surface principale, la première surface principale comportant une région de formation d'irrégularité dans laquelle une irrégularité en forme de cuvette est formée sur la surface. La région de formation d'irrégularité sur la première surface principale présente une rugosité (Sq) en moyenne quadratique, développée en deux dimensions, de 0,4 à 4,0μm et une période moyenne d'irrégularité (Rsm) de 5 à 30 μm. L'utilisation de ce substrat isolant translucide permet d'améliorer le Jsc de la cellule solaire à film mince tout en limitant toute diminution de FF et de Voc.
(JA) 本発明の薄膜太陽電池用透光性絶縁基板(1)は、第一の主面と第二の主面とを有し、第一の主面は、表面にディンプル状の凹凸が形成された凹凸形成領域を有する。第一の主面の凹凸形成領域は、2次元に拡張された二乗平均平方根粗さSqが0.4μm~4.0μmであり、平均凹凸周期Rsmが5μm~30μmである。本発明の透光性絶縁基板を用いることで、VocおよびFFの低下を抑制しつつ、薄膜太陽電池のJscを向上できる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)