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1. (WO2014097949) MATÉRIAU DE THERMISTANCE À BASE DE NITRURE DE MÉTAL, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI ET CAPTEUR À THERMISTANCE DE TYPE FILM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/097949    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/083275
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 04.12.2013
CIB :
H01C 7/04 (2006.01), C23C 14/08 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION [JP/JP]; 3-2, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008117 (JP)
Inventeurs : FUJITA, Toshiaki; (JP).
TANAKA, Hiroshi; (JP).
NAGATOMO, Noriaki; (JP)
Mandataire : TAKAOKA, Ryoichi; Takaoka IP Law Office, Ikebukuro Tosei Building, 5th Floor, 5-4-7, Nishi-Ikebukuro, Toshima-ku, Tokyo 1710021 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-279147 21.12.2012 JP
Titre (EN) METAL-NITRIDE THERMISTOR MATERIAL, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND FILM-TYPE THERMISTOR SENSOR
(FR) MATÉRIAU DE THERMISTANCE À BASE DE NITRURE DE MÉTAL, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI ET CAPTEUR À THERMISTANCE DE TYPE FILM
(JA) サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a metal-nitride thermistor material that has a high heat tolerance, is highly reliable, and can be used to form a film or the like directly, without firing. Also provided are a method for manufacturing said metal-nitride thermistor material and a film-type thermistor sensor. This metal-nitride material for use in a thermistor comprises a metal nitride that can be represented by the general formula CrxAly(N1−wOw)z (with 0.70 ≤ y/(x+y) ≤ 0.95, 0.45 ≤ z ≤ 0.55, 0 < w ≤ 0.35, and x+y+z = 1), and said metal-nitride material has a single-phase wurtzite hexagonal crystal structure.
(FR)L'invention concerne un matériau de thermistance à base de nitrure de métal qui présente une tolérance élevée à la chaleur, est très fiable et peut être utilisé directement pour former un film ou similaire, sans cuisson. L'invention concerne également un procédé de fabrication dudit matériau de thermistance à base de nitrure de métal et un capteur à thermistance de type film. Ce matériau à base de nitrure de métal destiné à être utilisé dans une thermistance comprend un nitrure de métal qui peut être représenté par la formule générale CrxAly(N1−wOw)z (avec 0,70 ≤ y/(x+y) ≤ 0,95, 0,45 ≤ z ≤ 0,55, 0 < w ≤ 0,35 et x+y+z = 1), et ledit matériau à base de nitrure de métal présente une structure cristalline hexagonale wurtzite monophasée.
(JA)フィルム等に非焼成で直接成膜することができ、高い耐熱性を有して信頼性が高いサーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサを提供する。サーミスタに用いられる金属窒化物材料であって、一般式:CrAl(N1-w(0.70≦y/(x+y)≦0.95、0.45≦z≦0.55、0<w≦0.35、x+y+z=1)で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)