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1. (WO2014097931) SUBSTRAT DE NITRURE DE GALLIUM, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CRISTAL SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/097931    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/083110
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 10.12.2013
CIB :
C30B 29/38 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008251 (JP)
Inventeurs : TSUKADA, Yusuke; (JP).
KUBO, Shuichi; (JP).
KAMADA, Kazunori; (JP).
FUJISAWA, Hideo; (JP).
OHATA, Tatsuhiro; (JP).
IKEDA, Hirotaka; (JP).
MATSUMOTO, Hajime; (JP).
MIKAWA, Yutaka; (JP)
Mandataire : KAWAGUCHI, Yoshiyuki; Acropolis 21 Building 6th floor, 4-10, Higashi Nihonbashi 3-chome, Chuo-ku, Tokyo 1030004 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-275035 17.12.2012 JP
2013-072629 29.03.2013 JP
2013-114619 30.05.2013 JP
Titre (EN) GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE, AND METHOD FOR PRODUCING NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL
(FR) SUBSTRAT DE NITRURE DE GALLIUM, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CRISTAL SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE
(JA) 窒化ガリウム基板、および、窒化物半導体結晶の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)The main purpose of the present invention is to provide: a nonpolar or semipolar GaN substrate, in which a nitride semiconductor crystal having a low stacking fault density can be epitaxially grown on the main surface of the substrate; and a technique required for the production of the substrate. A gallium nitride substrate having a first main surface and a second main surface that is located on the opposed side of the first main surface, wherein the first main surface is a nonpolar surface or a semipolar surface, and the average basal-plane dislocation density in arbitrary 250-μm square regions in the first main surface is 1 × 106 cm-2 or less.
(FR)Le principal objectif de la présente invention concerne l'obtention d'un substrat de GaN non polaire ou semi-polaire, dans lequel un cristal semi-conducteur de nitrure ayant une faible densité de défaut d'empilement peut être formé par croissance épitaxiale sur la surface principale du substrat ; ainsi qu'une technique requise pour la production dudit substrat. À cet effet, l'invention propose un substrat de nitrure de gallium qui comprend une première surface principale et une seconde surface principale qui est située sur le côté opposé de la première surface principale, la première surface principale étant une surface non polaire ou une surface semi-polaire, et la densité de dislocations dans le plan basal moyenne dans des régions de forme carrée de 250 μm arbitraires dans la première surface principale est de 1 × 106 cm-2 ou moins.
(JA)本発明の主たる目的は、その主表面上に積層欠陥密度の低い窒化物半導体結晶をエピタキシャル成長させ得る非極性または半極性GaN基板と、その製造に必要な技術を提供することである。第1主表面およびその反対側の第2主表面を有し、該第1主表面は非極性面または半極性面であり、該第1主表面内の任意の250μm四方の領域において、当該領域で平均した基底面転位密度が1×10cm-2以下である、窒化ガリウム基板。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)