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1. (WO2014097899) DISPOSITIF ANALYSEUR D'IMAGES À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/097899    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/082772
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 06.12.2013
CIB :
H01L 27/146 (2006.01), H04N 5/369 (2011.01)
Déposants : FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
Inventeurs : TANAKA, Syunsuke; (JP)
Mandataire : KOBAYASHI, Kazunori; Taiyo-seimei-otsuka Bldg. 3F, 25-1, Kita-otsuka 2-chome, Toshima-ku, Tokyo 1700004 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-279535 21.12.2012 JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE
(FR) DISPOSITIF ANALYSEUR D'IMAGES À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 固体撮像装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a solid-state image pickup device that suppresses decreases in sensitivities for picking up images and decreases in resolution caused by phase difference pixels. A solid-state image pickup device (10) includes a plurality of hybrid pixels (42a, 42b). The hybrid pixel includes: a photodiode (22) having a charge storage area (22a) and a photoelectric conversion area (22b); and transparent electrodes (55A, 55B). The transparent electrode modulates a potential with respect to charges by applying a voltage to the charge storage area so as to narrow the width of the charge storage area, thereby forming an effective charge storage area (73a). The hybrid pixel functions as a normal pixel when the potential is not modulated. When the potential is modulated, the hybrid pixel functions as a phase difference pixel that selectively accumulates charges that occur in a part of the photoelectric conversion area.
(FR)La présente invention concerne un dispositif analyseur d'images à semi-conducteur qui supprime les diminutions de sensibilités pour capturer des images et les diminutions de résolution causées par les pixels de différence de phases. Le dispositif analyseur d'images à semi-conducteur (10) selon l'invention comprend une pluralité de pixels hybrides (42a, 42b). Le pixel hybride comprend : une photodiode (22) dotée d'une zone de stockage de charge (22a) et d'une zone de conversion photoélectrique (22b) ; et des électrodes transparentes (55A, 55B). L'électrode transparente module un potentiel par rapport aux charges en appliquant une tension sur la zone de stockage de charge de sorte à réduire la largeur de la zone de stockage de charge, formant ainsi une zone de stockage de charge effective (73a). Le pixel hybride fonctionne comme un pixel normal lorsque le potentiel n'est pas modulé. Lorsque le potentiel est modulé, le pixel hybride fonctionne comme un pixel de différence de phases qui accumule de façon sélective les charges qui se trouvent dans une partie de la zone de conversion photoélectrique.
(JA) 位相差画素に起因する撮影画像の感度や解像度の低下を抑止する固体撮像装置を提供する。 固体撮像装置(10)は、複数のハイブリッド画素(42a,42b)を備える。ハイブリッド画素は、電荷蓄積領域(22a)と光電変換領域(22b)とを有するフォトダイオード(22)と、透明電極(55A,55B)を備える。透明電極は、電荷蓄積領域に電圧を印加して電荷に対するポテンシャルを変調することにより、電荷蓄積領域の幅を狭窄し、実効的な電荷蓄積領域(73a)を形成する。ハイブリッド画素は、ポテンシャル変調がされないと通常画素として機能する。ポテンシャル変調がされると、光電変換領域の一部で発生した電荷を選択的に蓄積する位相差画素として機能する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)