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1. (WO2014097891) MATÉRIAU DE THERMISTANCE À BASE DE NITRURE DE MÉTAL, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI ET CAPTEUR À THERMISTANCE DE TYPE FILM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/097891    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/082653
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 28.11.2013
CIB :
H01C 7/04 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), H01C 17/06 (2006.01), H01C 17/12 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION [JP/JP]; 3-2, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008117 (JP)
Inventeurs : FUJITA, Toshiaki; (JP).
TANAKA, Hiroshi; (JP).
NAGATOMO, Noriaki; (JP)
Mandataire : TAKAOKA, Ryoichi; Takaoka IP Law Office, Ikebukuro Tosei Building, 5th Floor, 5-4-7, Nishi-Ikebukuro, Toshima-ku, Tokyo 1710021 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-279146 21.12.2012 JP
Titre (EN) METAL-NITRIDE THERMISTOR MATERIAL, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND FILM-TYPE THERMISTOR SENSOR
(FR) MATÉRIAU DE THERMISTANCE À BASE DE NITRURE DE MÉTAL, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI ET CAPTEUR À THERMISTANCE DE TYPE FILM
(JA) サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a metal-nitride thermistor material that has a high heat tolerance, is highly reliable, and can be used to form a film or the like directly, without firing. Also provided are a method for manufacturing said metal-nitride thermistor material and a film-type thermistor sensor. This metal-nitride material for use in a thermistor comprises a metal nitride that can be represented by the general formula (CrxAlyNz) (with 0.70 ≤ y/(x+y) ≤ 0.95, 0.4 ≤ z ≤ 0.5, and x+y+z = 1), and said metal-nitride material has a single-phase wurtzite hexagonal crystal structure. The aforementioned method for manufacturing this metal-nitride thermistor material has a film-forming step in which a film is formed by reactive sputtering using a Cr-Al alloy sputtering target in a nitrogen-containing atmosphere.
(FR)L'invention concerne un matériau de thermistance à base de nitrure de métal qui présente une tolérance élevée à la chaleur, est très fiable et peut être utilisé directement pour former un film ou similaire, sans cuisson. L'invention concerne également un procédé de fabrication dudit matériau de thermistance à base de nitrure de métal et un capteur à thermistance de type film. Ce matériau à base de nitrure de métal destiné à être utilisé dans une thermistance comprend un nitrure de métal qui peut être représenté par la formule générale (CrxAlyNz) (avec 0,70 ≤ y/(x+y) ≤ 0,95, 0,4 ≤ z ≤ 0,5 et x+y+z = 1), et ledit matériau à base de nitrure de métal présente une structure cristalline hexagonale wurtzite monophasée. Le procédé mentionné précédemment de fabrication de ce matériau de thermistance à base de nitrure de métal comprend une étape de formation de film dans laquelle un film est formé par pulvérisation cathodique réactive en utilisant une cible de pulvérisation cathodique en alliage Cr-Al dans une atmosphère contenant de l'azote.
(JA)フィルム等に非焼成で直接成膜することができ、高い耐熱性を有して信頼性が高いサーミスタ用金属 窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサを提供する。サーミスタに用いられる 金属窒化物材料であって、一般式:CrAl(0.70≦y/(x+y)≦0.95、0.4 ≦z≦0.5、x+y+z=1)で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ 鉱型の単相である。このサーミスタ用金属窒化物材料の製造方法は、Cr-Al合金スパッタリングタ ーゲットを用いて窒素含有雰囲気中で反応性スパッタを行って成膜する成膜工程を有している。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)