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1. (WO2014097883) MATÉRIAU POUR THERMISTANCE AU NITRURE MÉTALLIQUE, PROCÉDÉ POUR SA FABRICATION ET CAPTEUR À THERMISTANCE DE TYPE FILM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/097883    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/082518
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 27.11.2013
CIB :
C23C 14/06 (2006.01), H01C 7/04 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION [JP/JP]; 3-2, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008117 (JP)
Inventeurs : FUJITA, Toshiaki; (JP).
TANAKA, Hiroshi; (JP).
NAGATOMO, Noriaki; (JP)
Mandataire : TAKAOKA, Ryoichi; Takaoka IP Law Office, Ikebukuro Tosei Building, 5th Floor, 5-4-7, Nishi-Ikebukuro, Toshima-ku, Tokyo 1710021 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-279148 21.12.2012 JP
Titre (EN) METAL-NITRIDE THERMISTOR MATERIAL, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND FILM-TYPE THERMISTOR SENSOR
(FR) MATÉRIAU POUR THERMISTANCE AU NITRURE MÉTALLIQUE, PROCÉDÉ POUR SA FABRICATION ET CAPTEUR À THERMISTANCE DE TYPE FILM
(JA) サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a metal-nitride thermistor material that has a high heat tolerance, is highly reliable, and can be used to form a film or the like directly, without firing. Also provided are a method for manufacturing said metal-nitride thermistor material and a film-type thermistor sensor. This metal-nitride material for use in a thermistor comprises a metal nitride that can be represented by the general formula (Ti1−wCrw)xAlyNz (with 0.0 < w < 1.0, 0.70 ≤ y/(x+y) ≤ 0.95, 0.4 ≤ z ≤ 0.5, and x+y+z = 1), and said metal-nitride material has a single-phase wurtzite hexagonal crystal structure.
(FR)L'invention concerne un matériau pour thermistance au nitrure métallique qui présente une tolérance élevée à la chaleur, est hautement fiable et peut être utilisé pour former un film, etc. directement sans cuisson. L'invention concerne un procédé de fabrication dudit matériau pour thermistance au nitrure métallique et un capteur à thermistance de type film. Ledit matériau au nitrure métallique destiné à être utilisé dans une thermistance comporte un nitrure métallique qui peut être représenté par la formule générale (Ti1−wCrw)xAlyNz (avec 0,0 < w < 1,0, 0,70 ≤ y/(x+y) ≤ 0,95, 0,4 ≤ z ≤ 0,5 et x+y+z = 1), et ledit matériau au nitrure métallique présent une structure cristalline hexagonale monophasique de wurtzite.
(JA)フィルム等に非焼成で直接成膜することができ、高い耐熱性を有して信頼性が高いサーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサを提供する。サーミスタに用いられる金属窒化物材料であって、一般式:(Ti1-wCrAl(0.0<w<1.0、0.70≦y/(x+y)≦0.95、0.4≦z≦0.5、x+y+z=1)で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、 六方晶系のウルツ鉱型の単相である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)