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1. (WO2014097817) FILM CONDUCTEUR, FILM PRÉCURSEUR DE CELUI-CI ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN FILM CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/097817    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/081434
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 21.11.2013
CIB :
H01B 5/14 (2006.01), B32B 27/18 (2006.01), H01B 13/00 (2006.01)
Déposants : FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
Inventeurs : KASAI Seishi; (JP)
Mandataire : WATANABE Mochitoshi; Yusen Iwamoto-cho Bldg. 6F., 3-3, Iwamoto-cho 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010032 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-275500 18.12.2012 JP
Titre (EN) CONDUCTIVE FILM, PRECURSOR FILM THEREOF AND METHOD FOR PRODUCING CONDUCTIVE FILM
(FR) FILM CONDUCTEUR, FILM PRÉCURSEUR DE CELUI-CI ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN FILM CONDUCTEUR
(JA) 導電膜およびその前駆体膜ならびに導電膜の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)The purpose of the present invention is to provide: a conductive film which has high electrical conductivity and excellent adhesion to a base, while being suppressed in the occurrence of curl; a precursor film which is capable of forming the conductive film; and a method for producing the conductive film. A precursor film of the present invention is provided on a base and used for the formation of a conductive film that contains copper metal. This precursor film comprises copper oxide particles and an inactive resin that does not undergo a polymerization reaction or a crosslinking reaction by means of light or heat. In the entire thickness of the precursor film from the surface-side surface to the base-side surface, the content ratio of the copper oxide particles present in an upper region, which is a region corresponding to 1/3 of the entire thickness of the precursor film from the surface side toward the base side, is higher than the content ratio of the copper oxide particles present in a lower region, which is a region corresponding to 1/3 of the entire thickness of the precursor film from the base side toward the surface side; and the content ratio of the inactive resin present in the upper region is lower than the content ratio of the inactive resin present in the lower region.
(FR)La présente invention concerne la réalisation d'un film conducteur qui possède une conductivité électrique élevée et une excellente adhérence à une base, tout en étant supprimé dans le cas où il se produit un gondolage ; un film précurseur qui est capable de former le film conducteur ; et un procédé de production du film conducteur. Le film précurseur selon la présente invention est appliqué sur une base et utilisé pour la formation d'un film conducteur qui contient du cuivre. Ce film précurseur contient des particules d'oxyde de cuivre et une résine inactive qui ne subit pas une réaction de polymérisation ou une réaction de réticulage sous l'effet de la lumière ou de la chaleur. Dans la totalité de l'épaisseur du film précurseur entre la surface côté surface et la surface côté base, la teneur en particules d'oxyde de cuivre présentes dans une région haute, laquelle est une région correspondant à 1/3 de l'épaisseur totale du film précurseur du côté surface vers le côté base, est supérieure à la teneur en particules d'oxyde de cuivre présentes dans une région basse, laquelle est une région correspondant à 1/3 de l'épaisseur totale du film précurseur du côté base vers le côté surface ; et la teneur en résine inactive présente dans la région haute est inférieure à la teneur en résine inactive présente dans la région basse.
(JA) 本発明は、導電性が高く、基材との密着性に優れ、かつカールの発生を抑制できる導電膜およびその導電膜を形成することができる前駆体膜ならびにその導電膜の製造方法を提供することを目的とする。本発明の前駆体膜は、基材上に設けられ、金属銅を含有する導電膜の形成に用いられる前駆体膜であって、酸化銅粒子と、光または熱によって重合反応または架橋反応を起こさない不活性樹脂とを有し、前駆体膜の表面側から基材側までの全体厚みにおける、前駆体膜の表面側から基材側に向けて全体厚みの1/3に相当する位置までの上層領域に存在する酸化銅粒子の含有割合が、基材側から前駆体膜の表面側に向けて全体厚みの1/3に相当する位置までの下層領域に存在する酸化銅粒子の含有割合より多く、上層領域に存在する不活性樹脂の含有割合が、下層領域に存在する不活性樹脂の含有割合よりも少ない、前駆体膜である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)