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1. (WO2014097760) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR EN CARBURE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/097760    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/079992
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 06.11.2013
CIB :
H01L 29/12 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
Inventeurs : HIYOSHI, Toru; (JP).
MASUDA, Takeyoshi; (JP).
WADA, Keiji; (JP).
TSUNO, Takashi; (JP)
Mandataire : FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-275754 18.12.2012 JP
Titre (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR EN CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)A silicon carbide semiconductor device (1) has a silicon carbide substrate (10), a gate insulating film (15) and a gate electrode (27). The silicon carbide substrate (10) comprises a first impurity region (17) that has a first conductivity type, a well region (13) that is in contact with the first impurity region (17) and has a second conductivity type that is different from the first conductivity type, and a second impurity region (14) that is separated from the first impurity region (17) by means of the well region (13) and has the first conductivity type. The gate insulating film (15) is in contact with the first impurity region (17) and the well region (13). The gate electrode (27) is in contact with the gate insulating film (15) and is arranged opposite to the well region (13) with respect to the gate insulating film (15). The characteristic on-resistance at a voltage that is half the gate drive voltage applied to the gate electrode (27) is lower than twice the characteristic on-resistance at the gate drive voltage. Consequently, there can be provided a silicon carbide semiconductor device (1) which has improved switching characteristics.
(FR)La présente invention se rapporte à un dispositif semi-conducteur en carbure de silicium (1) qui comprend un substrat en carbure de silicium (10), un film d'isolement de grille (15) et une électrode de grille (27). Le substrat en carbure de silicium (10) comprend une première région d'impureté (17) qui présente un premier type de conductivité, une région de puits (13) qui est en contact avec la première région d'impureté (17) et présente un second type de conductivité qui est différent du premier type de conductivité, et une seconde région d'impureté (14) qui est séparée de la première région d'impureté (17) par la région de puits (13) et présente le premier type de conductivité. Le film d'isolement de grille (15) est en contact avec la première région d'impureté (17) et la région de puits (13). L'électrode de grille (27) est en contact avec le film d'isolement de grille (15) et est agencée à l'opposé de la région de puits (13) par rapport au film d'isolement de grille (15). La résistance caractéristique à l'état conducteur à une tension qui est la moitié de la tension d'attaque de grille appliquée à l'électrode de grille (27), est inférieure à deux fois la résistance caractéristique à l'état conducteur à la tension d'attaque de grille. Par conséquent, on peut proposer un dispositif semi-conducteur en carbure de silicium (1) qui présente de meilleures caractéristiques de commutation.
(JA) 炭化珪素半導体装置(1)は、炭化珪素基板(10)と、ゲート絶縁膜(15)と、ゲート電極(27)とを有する。炭化珪素基板(10)は、第1導電型を有する第1の不純物領域(17)と、第1の不純物領域(17)と接しかつ第1導電型と異なる第2導電型を有するウェル領域(13)と、ウェル領域(13)によって第1の不純物領域(17)と隔てられかつ第1導電型を有する第2の不純物領域(14)とを含む。ゲート絶縁膜(15)は、第1の不純物領域(17)およびウェル領域(14)に接する。ゲート電極(27)は、ゲート絶縁膜(15)に接し、かつゲート絶縁膜(15)に対してウェル領域(14)と反対側に配置されている。ゲート電極(27)に印加されるゲート駆動電圧の半分の電圧における特性オン抵抗は、ゲート駆動電圧における特性オン抵抗の2倍より小さい。これにより、スイッチング特性を向上可能な炭化珪素半導体装置(1)を提供することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)