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1. (WO2014097739) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET CIRCUIT DE DÉTECTION DE COURANT L'UTILISANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/097739    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/078941
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 25.10.2013
CIB :
H03K 17/08 (2006.01)
Déposants : FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530 (JP)
Inventeurs : SEKIGAWA, Kiyoshi; (JP)
Mandataire : OKUYAMA, Shoichi; 7th Floor, Akasaka Eight One Building, 13-5, Nagata-cho 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000014 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-274367 17.12.2012 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND CURRENT DETECTION CIRCUIT USING SAID SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET CIRCUIT DE DÉTECTION DE COURANT L'UTILISANT
(JA) 半導体装置およびその半導体装置を用いた電流検出回路
Abrégé : front page image
(EN)The present invention prevents the erroneous detection of an overcurrent, and determines whether a current in a main element is an overcurrent or not without dead time. When establishing electrical continuity in a main element (100), a gate signal for establishing electrical continuity is applied to a gate of a sense element (200) earlier than to the main element (100), so that an overshoot caused by a differential circuit in a gate input unit of the sense element (200) occurs before a current flows into the main element (100), whereby erroneous detection of overcurrents is prevented and the determination of whether the current in the main element (100) is an overcurrent or not can be made without dead time.
(FR)La présente invention a pour objet d'empêcher une détection erronée concernant une surintensité, et également de déterminer sans temps mort si un courant dans un élément principal constitue ou non une surintensité. Lors de l'établissement d'une continuité électrique dans un élément principal (100), un signal de grille est appliqué à une grille d'un élément sensible (200) indiquant que la continuité électrique y est établie plus tôt que dans l'élément principal (100), de façon à faire en sorte qu'un dépassement causé par un circuit différentiel au niveau d'une unité d'entrée de grille de l'élément sensible (200) se produise avant qu'un courant n'entre dans l'élément principal (100), ce qui a pour effet d'empêcher une détection erronée concernant une surintensité et de déterminer sans temps mort si le courant dans l'élément principal (100) constitue ou non une surintensité.
(JA) 過電流に関する誤検出を防ぐとともに、メイン素子の電流が過電流か否かを不感時間なく判断する。 メイン素子100を導通させるとき、センス素子200のゲートにメイン素子100より早く導通を指示するゲート信号を与え、メイン素子200に電流が流れる前にセンス素子100のゲート入力部の微分回路に起因するオーバーシュートを発生させてしまうことにより、過電流に関する誤検出を防ぐとともに、メイン素子100の電流が過電流か否かを不感時間なく判断できる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)