WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2014097701) COMPOSANT ÉLECTRONIQUE MULTICOUCHE EN CÉRAMIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/097701    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/075783
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 25.09.2013
CIB :
H01G 4/232 (2006.01), H01G 4/12 (2006.01), H01G 4/30 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
Inventeurs : KOGA, Seiji; (JP).
OMORI, Takashi; (JP)
Mandataire : KOSHIBA, Masaaki; Koshiba Patent Office, 13-8, Hyakurakuen 3-chome, Nara-shi, Nara 6310024 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-275525 18.12.2012 JP
Titre (EN) MULTILAYER CERAMIC ELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) COMPOSANT ÉLECTRONIQUE MULTICOUCHE EN CÉRAMIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 積層セラミック電子部品およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)If an external electrode for a multilayer ceramic electronic component is formed on a ceramic element by baking a conductive paste that contains a glass component, the glass component penetrates into the grain boundary among ceramic particles of the ceramic element. If a plating film is formed on the external electrode by wet plating, the glass component penetrated into the grain boundary is dissolved by the plating liquid, whereby the ceramic element becomes fragile in the vicinity of the edge of the external electrode. When an external electrode (32) is formed, a ceramic element (22), onto which a conductive paste is applied, is subjected to a heat treatment at a top temperature of 800°C or more with an electromotive force at the top temperature of 600-900 mV. During this heat treatment, the glass component in the conductive paste penetrates into the grain boundary (42) among ceramic particles (41) of the ceramic element (22), and a crystalline product containing the element that constitutes the glass component and having dissolution resistance to plating liquids is produced.
(FR)Dans la présente invention, si une électrode externe pour un composant électronique multicouche en céramique est formée sur un élément en céramique par cuisson d'une pâte conductrice contenant un composant en verre, le composant en verre pénètre dans le joint de grain parmi les particules de céramique de l'élément en céramique. Si un film de revêtement est formé sur l'électrode externe au moyen de placage par voie humide, le composant en verre ayant pénétré dans le joint de grain est dissout par le liquide de placage, l'élément en céramique devenant fragile à proximité du bord de l'électrode externe. Lorsqu'une électrode externe (32) est formée, un élément en céramique (22), sur lequel est appliquée une pâte conductrice, est soumis à un traitement thermique à une température maximale supérieure ou égale à 800°C avec une force électromotrice de 600-900 mV à la température maximale. Lors de ce traitement thermique, le composant en verre dans la pâte conductrice pénètre dans le joint de grain (42) parmi les particules de céramique (41) de l'élément en céramique (22), et un produit cristallin contenant l'élément qui constitue le composant en verre et présentant une résistance à la dissolution par les liquides de placage est produit.
(JA) 積層セラミック電子部品に備える外部電極を、ガラス成分を含む導電性ペーストの焼付けによってセラミック素体上に形成すると、ガラス成分がセラミック素体のセラミック粒子間の粒界に浸透する。外部電極上に、湿式めっきによりめっき膜を形成すると、粒界に浸透したガラス成分がめっき液によって溶かされ、その結果、セラミック素体が外部電極の端縁部近傍において脆弱になる。 外部電極(32)を形成するにあたり、導電性ペーストが塗布されたセラミック素体(22)を、トップ温度が800℃以上、トップ温度での起電力が600~900mVの条件で熱処理する。この熱処理において、導電性ペースト中のガラス成分がセラミック素体(22)のセラミック粒子(41)間の粒界(42)に浸透するとともに、耐めっき液溶解性を有する、ガラス成分を構成する元素を含む結晶物が生成される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)