WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2014097621) PAIRE D'ÉLECTRODES POUR PERMETTRE UN TRAITEMENT PLASMA DE DÉCHARGE À BARRIÈRE DIÉLECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/097621    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/007433
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 18.12.2013
CIB :
C23C 16/40 (2006.01), C03C 17/00 (2006.01), C23C 16/509 (2006.01), C23C 16/54 (2006.01), H01J 37/32 (2006.01)
Déposants : ASAHI GLASS COMPANY LIMITED [JP/JP]; Shin-Marunouchi Building, 1-5-1, Marunouchi, Chiyoda Ku, Tokyo 1008405 (JP)
Inventeurs : TIXHON, M. Eric; (BE).
MICHEL, M. Eric; (BE).
LECLERCQ, M. Joseph; (BE)
Mandataire : KAZAHAYA, Nobuaki; Shin-Ei Building 6th Fl., 6-20, Tosabori 1-chome, Nishi-ku, Osaka-shi, Osaka 5500001 (JP)
Données relatives à la priorité :
12199080.8 21.12.2012 EP
Titre (EN) PAIR OF ELECTRODES FOR DBD PLASMA PROCESS
(FR) PAIRE D'ÉLECTRODES POUR PERMETTRE UN TRAITEMENT PLASMA DE DÉCHARGE À BARRIÈRE DIÉLECTRIQUE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention concerns a device (10) for the surface treatment of a substrate (1) by dielectric barrier discharge that enables the generation of a cold filamentary plasma at atmospheric pressure, comprising a reaction chamber, in which are positioned means for supporting and/or moving the substrate (2) and at least two electrodes (3, 4) arranged in parallel on either side of the means for supporting and/or moving the substrate (2), of which one electrode (3) is intended to be brought to high voltage and a counter-electrode (4) to be earthed. It is characterised in that the counter-electrode (4) has a width (lce) and a length (Lce) that are respectively smaller than the width (le) and the length (Le) of the electrode (3), and in that the counter-electrode (4) is positioned so that it is enclosed in an orthogonal projection (5) of the electrode (3) on a plane containing the counter-electrode (4). The invention also concerns a surface treatment process, in particular for layer deposition, that calls for such a device.
(FR)La présente invention concerne un dispositif (10) conçu pour permettre le traitement de surface d'un substrat (1) au moyen d'une décharge à barrière électrique qui permet la production d'un plasma filamentaire froid à la pression atmosphérique, ledit dispositif comprenant une chambre de réaction dans laquelle sont positionnés des moyens destinés à supporter et/ou à déplacer le substrat (2) et au moins deux électrodes (3, 4) agencées en parallèle sur l'un ou l'autre côté des moyens destinés à supporter et/ou à déplacer le substrat (2), dont une électrode (3) est conçue pour être mise à une tension élevée et une contre-électrode (4) doit être reliée à la terre. Ledit dispositif est caractérisé en ce que la contre-électrode (4) présente une largeur (lce) et une longueur (Lce) qui sont respectivement plus petites que la largeur (le) et la longueur (Le) de l'électrode (3) et en ce que la contre-électrode (4) est positionnée de telle sorte qu'elle soit entourée dans une saillie orthogonale (5) de l'électrode (3) sur un plan qui contient la contre-électrode (4). L'invention concerne également un procédé de traitement de surface, en particulier pour permettre un dépôt de couche, qui fait appel à un tel dispositif.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)