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1. (WO2014097561) FEUILLE DE DISSIPATION DE CHALEUR, APPAREIL DE DISSIPATION DE CHALEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'APPAREIL DE DISSIPATION DE CHALEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/097561    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/007139
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 05.12.2013
CIB :
H01L 23/36 (2006.01), H01L 23/373 (2006.01), H05K 7/20 (2006.01)
Déposants : DENSO CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Showa-cho, Kariya-city, Aichi 4488661 (JP)
Inventeurs : IZUMI, Takao; (JP).
NOMURA, Tohru; (JP)
Mandataire : KIN, Junhi; 6th Floor, Takisada Bldg., 2-13-19, Nishiki, Naka-ku, Nagoya-city, Aichi 4600003 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-279923 21.12.2012 JP
Titre (EN) HEAT DISSIPATING SHEET, HEAT DISSIPATING APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING HEAT DISSIPATING APPARATUS
(FR) FEUILLE DE DISSIPATION DE CHALEUR, APPAREIL DE DISSIPATION DE CHALEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'APPAREIL DE DISSIPATION DE CHALEUR
(JA) 放熱シート、放熱装置、放熱装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A heat dissipating sheet (20a) is disposed between a heat sink (13) of a semiconductor switching element (10), and a tube (30a). A porous base material (21a) of the heat dissipating sheet (20a) is compressed by means of the heat sink (13) and the tube (30a). A heat conductive material oozed out from the inside of the porous base material (21a) due to the compression of the porous base material (21a) is present between the porous base material (21a) and the heat sink (13) of the semiconductor switching element (10), and between the porous base material (21a) and the tube (30a). A gap between the heat dissipating sheet (20a) and the heat sink (13), and a gap between the heat dissipating sheet (20a) and the tube (30a) can be filled with the heat conductive material, and heat resistance between the heat sink (13) and the tube (30a) can be reduced.
(FR)La présente invention concerne une feuille de dissipation de chaleur (20a) disposée entre un drain thermique (13) et un élément de commutation à semi-conducteur (10), et un tube (30a). Selon l'invention, un matériau poreux de base (21a) de la feuille de dissipation de chaleur (20a) est comprimé au moyen du drain thermique (13) et du tube (30a). Un matériau thermoconducteur suintant de l'intérieur du matériau poreux de base (21a) en raison de la compression du matériau poreux de base (21a) est présent entre le matériau poreux de base (21a) et le drain thermique (13) de l'élément de commutation à semi-conducteur (10), et entre le matériau poreux de base (21a) et le tube (30a). Un espace entre la feuille de dissipation de chaleur (20a) et le drain thermique (13) et un espace entre la feuille de dissipation de chaleur (20a) et le tube (30a) peuvent être rempli du matériau thermoconducteur, et l'on peut réduire la résistance à la chaleur entre le drain thermique (13) et le tube (30a).
(JA) 放熱シート(20a)は、半導体スイッチング素子(10)のヒートシンク(13)とチューブ(30a)との間に配置されている。放熱シート(20a)の多孔質基材(21a)は、ヒートシンク(13)とチューブ(30a)とによって圧縮されている。多孔質基材(21a)の圧縮に伴って多孔質基材(21a)内から染み出た熱伝導性物質が多孔質基材(21a)と半導体スイッチング素子(10)のヒートシンク(13)との間と多孔質基材(21a)とチューブ(30a)との間とに介在している。放熱シート(20a)とヒートシンク(13)との間の隙間と放熱シート(20a)とチューブ(30a)との間の隙間とをそれぞれ熱伝導性物質で埋めることができ、ヒートシンク(13)とチューブ(30a)との間の熱抵抗を下げることができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)