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1. (WO2014097520) DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR OXYDATION, PROCÉDÉ D'OXYDATION ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/097520    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/005969
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 08.10.2013
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    17.10.2014    
CIB :
H01L 21/31 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 43/12 (2006.01)
Déposants : CANON ANELVA CORPORATION [JP/JP]; 2-5-1, Kurigi, Asao-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2158550 (JP)
Inventeurs : SHIMANE, Yoshimitsu; (JP).
SEINO, Takuya; (JP)
Mandataire : OKABE, Yuzuru; 22F, Marunouchi Kitaguchi Bldg., 1-6-5 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-278267 20.12.2012 JP
Titre (EN) OXIDATION TREATMENT DEVICE, OXIDATION METHOD, AND METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR OXYDATION, PROCÉDÉ D'OXYDATION ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 酸化処理装置、酸化方法、および電子デバイスの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)The objective of the present invention is to provide: an oxidation treatment device that can, when oxidizing a substrate, reduce the amount of oxygen adsorbed at a wall that demarcates an oxidation treatment space, increase throughput, and reduce the admixture of impurities in the film formed at the substrate subjected to oxidation treatment; an oxidation method; and a method for producing an electronic device. One embodiment of this oxidation treatment device is provided with: a substrate holder (404) that is provided within a treatment vessel (401) and has a substrate holding surface (404a); a gas introduction section (406) that introduces oxygen gas; a tubular member (405); and a substrate holder drive section (409) that changes the relative position of the substrate holder (404) and the tubular member (405) and that can form the oxidation treatment space (410) by means of the substrate holding surface (404a). The tubular member (405) is provided in a manner so that a gap (415) is formed against the substrate holder (404) when forming the space (410), oxygen gas is introduced in a limited manner into the space (410), and the oxygen gas introduced from the gas introduction section (406) is discharged through the gap (415).
(FR)L'objet de la présente invention consiste à fournir : un dispositif de traitement par oxydation qui peut, lors de l'oxydation d'un substrat, réduire la quantité d'oxygène absorbée au niveau d'une paroi qui délimite un espace de traitement par oxydation, augmenter le débit, et réduire l'admixtion d’impuretés dans le film formé sur le substrat soumis au traitement par oxydation ; un procédé d'oxydation ; et un procédé de production d'un dispositif électronique. Selon un mode de réalisation, ledit dispositif de traitement par oxydation comprend : un support de substrat (404) qui est disposé à l'intérieur d'une cuve de traitement (401) et a une surface de maintien de substrat (404a) ; une section d'introduction de gaz (406) qui introduit du gaz oxygène ; un élément tubulaire (405) ; et une section de commande de support de substrat (409) qui modifie la position relative du support de substrat (404) et l'élément tubulaire (405) et qui peut former l'espace de traitement par oxydation (410) au moyen de la surface de maintien de substrat (404a). L'élément tubulaire (405) est disposé de manière qu'un interstice (415) soit formé contre le support de substrat (404) lors de la formation de l'espace (410), le gaz oxygène est introduit de manière limitée dans l'espace (410), et le gaz oxygène introduit à partir de la section d'introduction de gaz (406) est évacué à travers l'interstice (415).
(JA) 本発明は、基板を酸化する際に、酸化処理空間を区画する壁に酸素が吸着した量を低減し、スループットを向上し、上記酸化処理される基板に形成された膜への不純物の混入を低減可能な酸化処理装置、酸化方法、および電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。本発明の一実施形態に係る酸化処理装置は、処理容器401内に設けられ、基板保持面404aを有する基板ホルダ404と、酸素ガスを導入するガス導入部406と、筒部材405と、基板ホルダ404と筒部材405との相対位置を変化させ、基板保持面404aと筒部材405とで酸化処理空間410を形成可能な基板ホルダ駆動部409とを備える。筒部材405は、空間410の形成時に基板ホルダ404との間に間隙415が形成されるように設けられており、酸素ガスは、空間410内に限定的に導入され、ガス導入部406から導入された酸素ガスは、間隙415を通して排気される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)