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1. (WO2014097454) COMPOSANT SEMICONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/097454    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/083100
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 20.12.2012
CIB :
H01L 27/04 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/861 (2006.01), H01L 29/868 (2006.01)
Déposants : TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi 4718571 (JP) (Tous Sauf US).
KAMEYAMA Satoru [JP/JP]; (JP) (US only).
KIMURA Keisuke [JP/JP]; (JP) (US only)
Inventeurs : KAMEYAMA Satoru; (JP).
KIMURA Keisuke; (JP)
Mandataire : KAI-U PATENT LAW FIRM; NAGOYA LUCENT TOWER 9F, 6-1, Ushijima-cho, Nishi-ku, Nagoya-shi, Aichi 4516009 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) COMPOSANT SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a semiconductor device in which IGBT areas and diode areas are formed in the same semiconductor substrate. The IGBT area includes a collector layer, an IGBT drift layer, body layers, gate electrodes, and emitter layers. The diode area includes a cathode layer, a diode drift layer, anode layers, trench electrodes, and anode contact layers. The diode area is divided into unit diode areas by the gate electrodes or the trench electrodes. In the unit diode area adjacent to the IGBT area, when the surface of the semiconductor substrate is viewed in a plan view, the anode layers and the anode contact layers are arranged in a mixed manner. At least at a position corresponding to each emitter layer with the gate electrode being interposed therebetween, the anode contact layer is arranged.
(FR)L'invention concerne un composant semiconducteur dans lequel des zones d'IGBT et des zones de diode sont formées dans le même substrat en semiconducteur. La zone d'IGBT contient une couche de collecteur, une couche de dérive d'IGBT, des couches de corps, des électrodes de gâchette et des couches d'émetteur. La zone de diode contient une couche de cathode, une couche de dérive de diode, des couches d'anode, des électrodes de tranchée et des couches de contact d'anode. La zone de diode est divisée en zones de diode unitaires par les électrodes de gâchette ou les électrodes de tranchée. Dans la zone de diode unitaire voisine de la zone d'IGBT, lorsque la surface du substrat en semiconducteur est observée dans une vue en plan, les couches d'anode et les couches de contact d'anode sont disposées d'une manière mélangée. La couche de contact d'anode est disposée au moins à une position correspondant à chaque couche d'émetteur avec l'électrode de gâchette intercalée entre elles.
(JA) 本明細書は、IGBT領域とダイオード領域が同一半導体基板に形成されている半導体装置を開示する。IGBT領域は、コレクタ層と、IGBTドリフト層と、ボディ層と、ゲート電極と、エミッタ層を備えている。ダイオード領域は、カソード層と、ダイオードドリフト層と、アノード層と、トレンチ電極と、アノードコンタクト層を備えている。ダイオード領域は、ゲート電極またはトレンチ電極によって、単位ダイオード領域に区画されている。IGBT領域と隣接する単位ダイオード領域において、半導体基板の表面を平面視したときに、アノード層とアノードコンタクト層が混在して配置されており、少なくともゲート電極を挟んでエミッタ層と対向する箇所に、アノードコンタクト層が配置されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)