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1. (WO2014097280) PROCÉDÉS DE DÉPÔT À BASSE TEMPÉRATURE DE FILMS MINCES DE CÉRAMIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/097280    N° de la demande internationale :    PCT/IB2014/000001
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 01.01.2014
CIB :
C23C 16/30 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), B82Y 30/00 (2011.01)
Déposants : GADGIL, Prasad, Narhar [US/US]; (US).
DUSZA, Peter, Joseph [US/US]; (US)
Inventeurs : GADGIL, Prasad, Narhar; (US).
DUSZA, Peter, Joseph; (US)
Mandataire : GOLDSTEIN, Avery, N.; Blue Filament Law PLLC 450 N. Old Woodward Avenue First Floor Birmingham, MI 48009 (US)
Données relatives à la priorité :
61/745,523 21.12.2012 US
Titre (EN) METHODS OF LOW TEMPERATURE DEPOSITION OF CERAMIC THIN FILMS
(FR) PROCÉDÉS DE DÉPÔT À BASSE TEMPÉRATURE DE FILMS MINCES DE CÉRAMIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A method is provided for low temperature deposition of ceramic thin films of carbides, nitrides and mixed phases such as carbo-nitrides by atomic layer deposition (ALD), nano-layer deposition (NLD), and chemical vapor deposition (CVD). The deposition chemistries employ combinations of precursors to affect thin film processes at substantially lower temperatures than current deposition processes of thin films of boron (B) carbides, nitrogen (N), nitrides, carbonitrides of silicon (Si), carbon (C), germanium (Ge), phosphorus (P), arsenic (As), oxygen (O), sulfur (S), and selenium (S) on substrates. The inventive ALD and corresponding NLD and CVD process methods provide lower temperature deposition of various thin films comprising elements from the group B, C, Si, Ge, N, P, As and O, S and Se. The reactive precursor combinations are selected on the basis of reactivity towards one another as determined by the variation of Gibb's free energy (ΔG) with respect to deposition temperature.
(FR)L'invention concerne un procédé de dépôt à basse température de films minces de céramique, de nitrures et de phases mixtes telles que des carbonitrures par dépôt de couche atomique (ALD), dépôt de nano-couche (NLD) et dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Les compositions chimiques utilisent des combinaisons de précurseurs pour agir sur les processus de dépôt de films minces à des températures sensiblement inférieures à celles des procédés de dépôt de films minces courants de bore (B), carbures, azote (N), nitrures, carbonitrures de silicium (Si), carbone (C), germanium (Ge), phosphore (P), arsenic (As), oxygène (O), soufre (S) et sélénium (S) sur des substrats. L'ALD de l'invention et le procédé CVD et NLD correspondants comprennent le dépôt à températures inférieures de films minces comprenant divers éléments du groupe comprenant B, C, Si, Ge, N, P, As, O, S et Se. Les combinaisons de précurseurs réactifs sont sélectionnées en fonction de la réactivité des uns vis-à-vis des autres telle que déterminée par la variation d'énergie libre de Gibb (ΔG) par rapport à la température de dépôt.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)