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1. (WO2014096962) CONTACT RENFONCÉ POUR NANOFILS DE SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/096962    N° de la demande internationale :    PCT/IB2013/003176
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 06.12.2013
CIB :
H01L 31/068 (2012.01), B82Y 10/00 (2011.01), H01L 21/283 (2006.01), H01L 29/45 (2006.01), H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/0693 (2012.01), H01L 33/06 (2010.01)
Déposants : SOL VOLTAICS AB [SE/SE]; Scheelevägen 17 Ideon Science Park S-226 57 Lund (SE)
Inventeurs : ÅBERG, Ingvar; (SE).
MAGNUSSON, Martin; (SE).
ASOLI, Damir; (SE).
SAMUELSON, Lars Ivar; (SE).
OHLSSON, Jonas; (SE)
Données relatives à la priorité :
13/723,413 21.12.2012 US
Titre (EN) RECESSED CONTACT TO SEMICONDUCTOR NANOWIRES
(FR) CONTACT RENFONCÉ POUR NANOFILS DE SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor nanowire device includes at least one semiconductor nanowire having a bottom surface and a top surface, an insulating material which surrounds the semiconductor nanowire, and an electrode ohmically contacting the top surface of the semiconductor nanowire. A contact of the electrode to the semiconductor material of the semiconductor nanowire is dominated by the contact to the top surface of the semiconductor nanowire.
(FR)L'invention concerne un dispositif à nanofil de semi-conducteur qui comprend au moins un nanofil de semi-conducteur ayant une surface inférieure et une surface supérieure, un matériau isolant qui entoure le nanofil de semi-conducteur, et une électrode venant en contact ohmique avec la surface supérieure du nanofil de semi-conducteur. Un contact de l'électrode sur le matériau semi-conducteur du nanofil semi-conducteur est dominé par le contact de la surface supérieure du nanofil de semi-conducteur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)