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1. (WO2014096690) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE COUCHE ÉPAISSE CRISTALLINE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/096690    N° de la demande internationale :    PCT/FR2013/053146
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 17.12.2013
CIB :
C30B 1/02 (2006.01), C30B 29/06 (2006.01), C30B 29/08 (2006.01), C30B 29/52 (2006.01), C30B 31/22 (2006.01), C30B 33/06 (2006.01)
Déposants : COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES [FR/FR]; 25 rue Leblanc Bâtiment "Le Ponant D" F-75015 Paris (FR)
Inventeurs : MORICEAU, Hubert; (FR).
MORALES, Christophe; (FR).
FOURNEL, Frank; (FR)
Mandataire : CABINET GERMAIN & MAUREAU; B.P.6153 F-69466 LYON Cedex 06 (FR)
Données relatives à la priorité :
1262736 21.12.2012 FR
Titre (EN) PROCESS FOR FABRICATING A THICK CRYSTALLINE LAYER
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE COUCHE ÉPAISSE CRISTALLINE
Abrégé : front page image
(EN)The process comprises steps consisting in: a) implanting ionic species through a substrate comprising, at least on its surface, a crystalline layer (10) of SixGe1-x, so as to form a weakened plane in said layer, bounding a seed film (3); b) depositing an amorphous layer (5) of SiyGe1-y on the seed film (3); c) applying a splitting process so as to obtain a detached structure (8) comprising the seed film (3) and the amorphous SiyGe1-y layer (5) on the one hand, and a negative (4) of the substrate on the other hand; and d) applying, to the detached structure (8), a heat treatment so as to obtain a thick crystalline layer with a thickness larger than 10 microns, which layer is not secured to the negative (4). The invention also relates to a structure comprising a crystalline silicon substrate comprising a seed film and an amorphous silicon layer containing a stressed region comprising implanted ions.
(FR)Il comprend les étapes consistant à: a) Implanter des espèces ioniques à travers un substrat comportant au moins en surface une couche cristalline (10) de SixGei-x de sorte à former un plan de fragilisation dans ladite couche délimitant un film germe (3), b) Déposer une couche amorphe (5) de SiyGe1-y sur le film germe (3), c) Appliquer un traitement de fracture de sorte à obtenir une structure détachée (8) comportant le film germe (3) et la couche de SiyGe1-y amorphe (5) d'une part, et un négatif (4) du substrat d'autre part, et d) Appliquer à la structure détachée (8) un traitement thermique de sorte à obtenir une couche épaisse cristalline d'une épaisseur supérieure à 10 micromètres et désolidarisée du négatif (4). L'invention concerne également une structure comprenant un substrat de silicium cristallin présentant un film germe, une couche de silicium amorphe comportant une région de contrainte comprenant des ions implantés.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)