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1. (WO2014095903) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENTS LASER À SEMI-CONDUCTEUR ET ÉLÉMENT LASER À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/095903    N° de la demande internationale :    PCT/EP2013/076953
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 17.12.2013
CIB :
H01S 5/02 (2006.01), H01S 5/022 (2006.01), H01S 5/323 (2006.01)
Déposants : OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Inventeurs : ENZMANN, Roland; (DE).
HORN, Markus; (DE).
GRAUL, Markus; (DE).
VEIT, Thomas; (DE).
DACHS, Jürgen; (DE).
LISTL, Stefan; (DE).
ARZBERGER, Markus; (DE)
Mandataire : EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2012 112 531.7 18.12.2012 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HALBLEITER-LASERELEMENTEN UND HALBLEITER-LASERELEMENT
(EN) METHOD FOR PRODUCING SEMI-CONDUCTOR LASER ELEMENTS AND SEMI-CONDUCTOR LASER ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENTS LASER À SEMI-CONDUCTEUR ET ÉLÉMENT LASER À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(DE)In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Laserelementen (1) eingerichtet undumfasst die folgenden Schritte: A) Bereitstellen eines Trägerverbunds (20) mit einer Vielzahl von Trägern (2) für die Halbleiter-Laserelemente (1), B) Bereitstellen eines Laserbarrens (30) mit einer Vielzahl von Halbleiter-Laserdioden (3), die ein gemeinsames Aufwachssubstrat (31) und eine darauf aufgewachsene Halbleiterschichtenfolge (32) umfassen, C) Erzeugen von Sollbruchstellen (35) an einer der Halbleiterschichtenfolge (32) abgewandten Substratunterseite (34) des Aufwachssubstrats (31), D) Anbringen des Laserbarrens (30) auf einer Trägeroberseite (23) des Trägerverbunds (20), wobei das Anbringen bei einer erhöhten Temperatur erfolgt und von einem Abkühlen gefolgt wird, und E) Vereinzeln zu den Halbleiter-Laserelementen (1), wobei die Schritte B) bis E) in der angegebenen Reihenfolge durchgeführt werden.
(EN)In at least one embodiment, the method for producing semi-conductor laser elements (1) involves the following steps: (A) producing a substrate composite (20) with a plurality of substrates (2) for the semi-conductor laser elements (1); (B) producing a laser bar (30) with a plurality of semi-conductor laser diodes (3) that have a common growth substrate (31) and a semi-conductor layer sequence (32) which has grown thereon; (C) generating desired breaking points (35) on a substrate underside (34) of the growth substrate (31), which substrate underside faces away from the semi-conductor layer sequence (32); (D) applying a laser bar (30) on a substrate upper side (23) of the substrate composite (20), which is performed at a higher temperature and which is followed by cooling; and (E) separation into the semi-conductor laser elements (1), steps (B) to (E) being performed in the indicated sequence.
(FR)L'invention porte sur les éléments laser à semi-conducteur. Dans au moins un mode de réalisation, le procédé de fabrication d'éléments laser à semi-conducteur (1) est conçu pour la fabrication d'éléments laser à semi-conducteur (1) et comprend les étapes suivantes : A) préparation d'un ensemble de supports (20) comportant une pluralité de supports (2) pour les éléments laser à semi-conducteur (1), B) préparation d'une barre de lasers (30) portant une pluralité de diodes laser à semi-conducteur (3), qui comprennent un substrat de croissance commun (31) et une succession de couches de semi-conducteur (32) formées par croissance sur ce substrat, C) production de points de rupture (35) sur une face inférieure (34) du substrat de croissance (31) opposée à la série de couches de semi-conducteur (32), D) mise en place de la barre de lasers (30) sur une face supérieure (23) de l'ensemble support (20), la mise en place s'effectuant à une température élevée et étant suivie d'un refroidissement, et E) division en les éléments laser à semi-conducteur (1), les étapes B) à E) s'effectuant dans l'ordre de succession indiqué.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)