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1. (WO2014095503) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SEMI-CONDUCTEUR DE CONNEXION ET CELLULE SOLAIRE À COUCHES MINCES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/095503    N° de la demande internationale :    PCT/EP2013/076158
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 11.12.2013
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/36 (2006.01)
Déposants : SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE [FR/FR]; 18, avenue d'Alsace F-92400 Courbevoie (FR)
Inventeurs : JOST, Stefan; (DE).
LECHNER, Robert; (DE).
DALIBOR, Thomas; (DE).
ERAERDS, Patrick; (DE)
Mandataire : GEBAUER, Dieter; Splanemann Patentanwälte Rumfordstraße 7 80469 München (DE)
Données relatives à la priorité :
12198612.9 20.12.2012 EP
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES VERBINDUNGSHALBLEITERS SOWIE DÜNNSCHICHTSOLARZELLE
(EN) METHOD FOR PRODUCING A COMPOUND SEMICONDUCTOR, AND THIN-FILM SOLAR CELL
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SEMI-CONDUCTEUR DE CONNEXION ET CELLULE SOLAIRE À COUCHES MINCES
Abrégé : front page image
(DE)Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Her- Stellung eines Verbindungshalbleiters (2), welches die folgenden Schritte umfasst: - Erzeugen zumindest eines Precursor-Schichtstapels (11), bestehend aus einer ersten Precursor-Schicht (5.1), einer zweiten Precursor-Schicht (6) und einer dritten Precursor-Schicht (5.2), wobei in einer ersten Stufe die erste Precursor-Schicht (5.1) hergestellt wird durch Abscheiden der Metalle Kupfer, Indium und Gallium auf einen Körper (12), und in einer zweiten Stufe die zweite Precursor-Schicht (6) hergestellt wird durch Abscheiden zumindest eines Chalkogens, gewählt aus Schwefel und Selen, auf der ersten Precursor-Schicht (5.1) und in einer dritten Stufe die dritte Precursor-Schicht (5.2) hergestellt wird durch Abscheiden der Metall Kupfer, Indium und Gallium auf der zweiten Precursor-Schicht (6); - Wärmebehandeln des zumindest einen Precursor-Schichtstapels (11) in einem Prozessraum (13) derart, dass die Metalle der ersten Precursor-Schicht (5.1), das zumindest eine Chalkogen der zweiten Precursor-Schicht (6) und die Metalle der dritten Precursor-Schicht (5.2) zum Verbindungshalbleiter (2) reaktiv umgesetzt werden.
(EN)The present invention relates to a method for producing a compound semiconductor (2), comprising the following steps: - Producing at least one precursor layer stack (11), consisting of a first precursor layer (5.1), a second precursor layer (6) and a third precursor layer (5.2), wherein said first precursor layer (5.1) is formed in a first stage by precipitating the metals copper, indium and gallium onto a body (12), and said second precursor layer (6) is produced in a second stage by precipitating at least one chalcogen, selected from sulphur and selenium, onto said first precursor layer (5.1), and said third precursor layer (5.2) is produced in a third stage by precipitating the metals copper, indium and gallium onto said second precursor layer (6); - Pre-treating the at least one precursor layer stack (11) in a process chamber (13) such that the metals of said first precursor layer (5.1), the at least one chalcogen of said second precursor layer (6) and the metals of the third precursor layer (5.2) are reactively converted to form said compound semiconductor (2).
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un semi-conducteur de connexion (2), ledit procédé comprenant les étapes suivantes : - la production d'au moins une pile de couches de précurseur (11), se composant d'une première couche de précurseur (5.1), d'une deuxième couche de précurseur (6) et d'une troisième couche de précurseur (5.2), au cours d'un premier stade, la première couche de précurseur (5.1) étant fabriquée par déposition des métaux, cuivre, indium et gallium sur un corps (12), et au cours d'un deuxième stade, la deuxième couche de précurseur (6) étant fabriquée par déposition d'au moins un chalcogène, sélectionné parmi du soufre et du sélénium, sur la première couche de précurseur (5.1) et au cours d'un troisième stade, la troisième couche de précurseur (5.2) étant fabriquée par déposition des métaux cuivre, indium et gallium sur la deuxième couche de précurseur (6) ; - le traitement à chaud de la ou des piles de couches de précurseur (11) dans une chambre de traitement (13) de sorte que les métaux de la première couche de précurseur (5.1), le ou les chalcogènes de la deuxième couche de précurseur (6) et les métaux de la troisième couche de précurseur (5.2) soient transformés de manière réactive pour former le semi-conducteur de connexion (2).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)