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1. (WO2014095373) SUBSTRATS POUR COMPOSANTS SEMICONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/095373    N° de la demande internationale :    PCT/EP2013/075557
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 04.12.2013
CIB :
H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : ELEMENT SIX LIMITED [GB/GB]; Global Innovation Centre, Fermi Avenue Harwell Oxford Didcot Oxfordshire OX11 0QR (GB)
Inventeurs : MOLLART, Timothy; (GB).
JIANG, Quanzhong; (GB).
EDWARDS, Michael John; (GB).
ALLSOPP, Duncan; (GB).
BOWEN, Christopher Rhys; (GB).
WANG, Wang Nang; (GB)
Mandataire : ATKINSON, Ian Anthony; Element Six Limited Group Intellectual Property Fermi Avenue Harwell Campus Didcot Oxfordshire OX11 0QR (GB)
Données relatives à la priorité :
1222798.9 18.12.2012 GB
61/738,641 18.12.2012 US
1310039.1 05.06.2013 GB
Titre (EN) SUBSTRATES FOR SEMICONDUCTOR DEVICES
(FR) SUBSTRATS POUR COMPOSANTS SEMICONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)A method of fabricating a composite semiconductor component comprising: (i) providing a bowed substrate comprising a wafer of synthetic diamond material having a thickness td, the bowed substrate being bowed by an amount B and comprising a convex face and a concave face; (ii) growing a layer of compound semiconductor material on the convex face of the bowed substrate via a chemical vapour deposition technique at a growth temperature T to form a bowed composite semiconductor component comprising the layer of compound semiconductor material of thickness tsc on the convex face of the bowed substrate, the compound semiconductor material having a higher average thermal expansion coefficient than the synthetic diamond material between the growth temperature T and room temperature providing a thermal expansion mismatch ΔTec; and (iii) cooling the bowed composite semiconductor component, wherein the layer of compound semiconductor material contracts more than the wafer of synthetic diamond material during cooling due to the thermal expansion mismatch ΔTec, wherein B, td, tsc, and ΔTec are selected such that the layer of compound semiconductor material contracts on cooling by an amount which off-sets bowing in the bowed substrate thus pulling the bowed composite semiconductor component into a flat configuration, the layer of compound semiconductor material having a tensile stress after cooling of less than 500 MPa.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un composant semiconducteur composite comprenant les étapes suivantes : (i) réalisation d'un substrat courbé comprenant une galette en diamant synthétique ayant une épaisseur td, le substrat courbé étant courbé d'un niveau B et comprenant une face convexe ainsi qu'une face concave; (ii) croissance d'une couche de matériau semiconducteur composite sur la face convexe du substrat courbé par le biais d'une technique de déposition chimique en phase vapeur à une température de croissance T afin de former un composant semiconducteur composite courbé comprenant la couche de matériau semiconducteur composite d'épaisseur tsc sur la face convexe du substrat courbé, le matériau semiconducteur composite présentant un coefficient de dilatation thermique moyen supérieur à celui du diamant synthétique entre la température de croissance T et la température ambiante, ce qui produit une désadaptation de dilatation thermique ΔTec; et (iii) refroidissement du composant semiconducteur composite courbé, la couche de matériau semiconducteur composite se contractant plus que la galette en diamant synthétique pendant le refroidissement en raison de la désadaptation de dilatation thermique ΔTec, B, td, tsc et ΔTec étant choisis de telle sorte que la couche de matériau semiconducteur composite se contracte lors du refroidissement d'un niveau qui décale la courbure dans le substrat courbé, tirant ainsi le composant semiconducteur composite courbé en une configuration plate, la couche de matériau semiconducteur composite présentant une contrainte de traction inférieure à 500 MPa après le refroidissement.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)