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1. (WO2014095353) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PUCE DE SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE ET PUCE DE SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/095353    N° de la demande internationale :    PCT/EP2013/075399
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 03.12.2013
CIB :
H01L 33/14 (2010.01), H01L 33/20 (2010.01), H01L 33/44 (2010.01), H01L 33/42 (2010.01)
Déposants : OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Inventeurs : PERZLMAIER, Korbinian; (DE).
TAEGER, Sebastian; (DE)
Mandataire : EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schlossschmidstr. 5 80639 Munich (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2012 112 771.9 20.12.2012 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP
(EN) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP, AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PUCE DE SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE ET PUCE DE SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
Abrégé : front page image
(DE)In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (1) eingerichtet und umfasst die Schritte: A) Epitaktisches Wachsen einer Halbleiterschichtenfolge (3) auf einem Aufwachssubstrat (2), B) Aufbringen einer Stromaufweitungsschicht (4) aus einem transparenten, leitfähigen Oxid auf die Halbleiterschichtenfolge (3), C) Aufbringen einer Ätzmaske (6) auf die Stromaufweitungsschicht (4), D) Strukturieren der Stromaufweitungsschicht (4) sowie der Halbleiterschichtenfolge (3) durch Ätzen anhand derselben Ätzmaske (6), wobei ein Abstand einer Kante der Halbleiterschichtenfolge (3) zu einer Kante der Stromaufweitungsschicht (4) höchstens 3 μm beträgt.
(EN)In at least one embodiment, the method is designed for producing an optoelectronic semiconductor chip (1) and comprises the following steps: A) epitaxially growing a semiconductor layer sequence (3) on a growth substrate (2), B) applying a current spreading layer (4) composed of a transparent conductive oxide to the semiconductor layer sequence (3), C) applying an etching mask (6) to the current spreading layer (4), D) patterning the current spreading layer (4) and the semiconductor layer sequence (3) by etching with the aid of the same etching mask (6), wherein a distance between an edge of the semiconductor layer sequence (3) and an edge of the current spreading layer (4) is at most 3 µm.
(FR)Selon au moins un mode de réalisation, le procédé est conçu pour fabriquer une puce de semi-conducteur optoélectronique (1) et il comprend les étapes suivantes : A) croissance épitaxiale d'une succession de couches semi-conductrices (3) sur un substrat de croissance (2), B) dépôt d'une couche d'étalement du courant (4) en oxyde conducteur transparent sur la succession de couches semi-conductrices (3), C) dépôt d'un masque de gravure (6) sur la couche d'étalement du courant (4), D) structuration de la couche d'étalement du courant (4) ainsi que de la succession de couches semi-conductrices (3) par gravure au moyen du même masque de gravure (6), la distance entre un bord de la succession de couches semi-conductrices (3) et un bord de la couche d'étalement du courant (4) étant au maximum égale à 3 μm.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)