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1. (WO2014095223) SYSTÈME DE CAPTEUR CAPACITIF AVEC CIRCUIT D'ÉVALUATION ASSOCIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/095223    N° de la demande internationale :    PCT/EP2013/074448
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 22.11.2013
CIB :
H03K 17/955 (2006.01), H03K 17/96 (2006.01)
Déposants : HUF HÜLSBECK & FÜRST GMBH & CO. KG [DE/DE]; Steeger Straße 17 42551 Velbert (DE)
Inventeurs : SIEG, Berthold; (DE)
Mandataire : ZENZ PATENTANWÄLTE PARTNERSCHAFT MBB; Rüttenscheider Straße 2 45128 Essen (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2012 112 479.5 18.12.2012 DE
Titre (DE) KAPAZITIVE SENSOREINRICHTUNG MIT ZUGEHÖRIGER AUSWERTESCHALTUNG
(EN) CAPACITIVE SENSOR DEVICE WITH ASSOCIATED EVALUATION CIRCUIT
(FR) SYSTÈME DE CAPTEUR CAPACITIF AVEC CIRCUIT D'ÉVALUATION ASSOCIÉ
Abrégé : front page image
(DE)Eine kapazitive Sensoreinrichtung mit wenigstens einer Sensorelektrode, welche gegenüber einem Bezugspunkt mit einem 10 Bezugspotenzial eine veränderbare Kapazität bildet. Die Sensorelektrode ist mit einer ersten Schalteinrichtung (SW1) gekoppelt, wobei diese erste Schalteinrichtung zur wiederholten Kopplung der Sensorelektrode entweder mit einer Sensorbetriebsspannung (U0) oder einer Auswerteschaltung (10) 15 schaltbar ist. Die Auswerteschaltung (10) ist nach Art einer Stromquellenschaltung ausgebildet. Ein erster Stromzweig ist an einem Eingangsende mit der Sensorelektrode koppelbar und über Kollektor und Emitter eines ersten Transistors über einen Hifswiderstand (R1) mit Masse koppelbar. Ein zweiter 20 Stromzweig ist an einem Ende mit einem Bezugspotenzial gekoppelt und weist eine zwischen Bezugspotenzial und zweitem Transistor gekoppelte Kapazität (CH) auf. In dem zweiten Stromzweig ist wenigstens ein zweiter Hilfswiderstand (R2) angeordnet, wobei die Basis und Kollektor des ersten 25 Transistors (T1) mit der Basis des zweiten Transistors (T2) gekoppelt ist und die Basen über die Schalteinrichtung (SW1) mit der Sensorelektrode koppelbar sind. Es ist wenigstens eine Kompensationskapazität (C1) vorgesehen, deren erster Anschluss mit dem ersten Stromzweig gekoppelt, wobei der zweite 30 Anschluss der Kompensationskapazität C1 mittels einer zweiten Schalteinrichtung (SW2) mit einer Kompensationsspannung (U0; U1) oder Masse oder potenzialfrei (floating) koppelbar ist.
(EN)A capacitive sensor device having at least one sensor electrode, which forms a variable capacitance with respect to a reference point with a reference potential. The sensor electrode is coupled to a first switch device (SW1), wherein said first switch device is switchable for repeated coupling of the sensor electrode either to a sensor operating voltage (U0) or to an evaluation circuit (10). The evaluation circuit (10) is configured in the manner of a power source circuit. A first current path is couplable to the sensor electrode at an input end and is couplable to ground via a collector and an emitter of a first transistor via a auxiliary resistor (R1). A second current path is coupled to a reference potential at one end and has a capacitor (CH) coupled between the reference potential and the second transistor. At least one second auxiliary resistor (R2) is arranged in the second current path, wherein the base and collector of the first transistor (T1) are coupled to the base of the second transistor (T2), and the bases are couplable to the sensor electrode via the switch device (SW1). Provision is made for at least one compensation capacitor (C1), the first terminal of which couples to the first current path, wherein the second terminal of the compensation capacitor C1 is couplable to a compensation voltage (U0; U1) or to ground or in a floating manner by way of a second switch device (SW2).
(FR)L'invention concerne un système de capteur capacitif comprenant au moins une électrode de détection qui forme une capacité variable par rapport à un point de référence ayant un potentiel de référence. L'électrode de détection est reliée à un premier dispositif commutateur (SW1), ce premier dispositif commutateur pouvant être connecté pour le couplage répété de l'électrode de détection soit à une tension de service (U0) du capteur, soit à un circuit d'évaluation (10). Le circuit d'évaluation (10) est configuré en circuit générateur de courant. Une première branche de courant peut être connectée à l'électrode de détection au niveau d'une borne d'entrée et à la masse par l'intermédiaire du collecteur et de l'émetteur d'un premier transistor via une résistance auxiliaire (R1). Une seconde branche de courant est connectée à une extrémité à un potentiel de référence et elle présente une capacité (CH) couplée entre le potentiel de référence et le second transistor. Au moins une seconde résistance auxiliaire (R2) est disposée dans la seconde branche de courant, la base et le collecteur du premier transistor (T1) étant reliés à la base du second transistor (T2), et les bases peuvent être connectées à l'électrode de détection par le biais du dispositif commutateur (SW1). Le circuit comprend au moins une capacité de compensation (C1) dont la première connexion est reliée à la première branche de courant couplé, la seconde connexion de la capacité de compensation C1 pouvant être couplée au moyen d'un second dispositif commutateur (SW2) à une tension de compensation (U0; U1) ou à la masse ou être libre de potentiel (flottante).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)