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1. (WO2014095122) COMMUTATEUR À SEMI-CONDUCTEUR À BLOCAGE BIDIRECTIONNEL ET ÉTAGE DE COMMUTATION DE PUISSANCE CORRESPONDANT DANS UN VÉHICULE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/095122    N° de la demande internationale :    PCT/EP2013/071913
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 21.10.2013
CIB :
H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/15 (2006.01), H01L 29/08 (2006.01), H01L 29/20 (2006.01)
Déposants : ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE)
Inventeurs : NEUBURGER, Martin; (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2012 223 833.6 19.12.2012 DE
Titre (DE) BIDIREKTIONAL SPERRENDER HALBLEITERSCHALTER UND ZUGEHÖRIGE LEISTUNGSSCHALTSTUFE IN EINEM FAHRZEUG
(EN) BIDIRECTIONALLY BLOCKING SEMICONDUCTOR SWITCH AND ASSOCIATED POWER SWITCHING STAGE IN A VEHICLE
(FR) COMMUTATEUR À SEMI-CONDUCTEUR À BLOCAGE BIDIRECTIONNEL ET ÉTAGE DE COMMUTATION DE PUISSANCE CORRESPONDANT DANS UN VÉHICULE
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft einen bidirektional sperrenden Halbleiterschalter (1) mit einem ersten Material (M1) aus der Gruppe III-Nitride und einem zweiten Material (M2) aus der Gruppe III-Nitride, wobei die beiden Materialien (M1, M2) unterschiedliche Bandabstände (EG, M1, EG, M2) aufweisen, und wobei an einer Grenzfläche zwischen den beiden Materialien (M1, M2) ein leitfähiger Kanal (11, 15) ausgebildet ist, sowie eine korrespondierende Leistungsschaltstufe mit mindestens einem solchenbidirektional sperrenden Halbleiterschalter (1). Erfindungsgemäß ist der bidirektional sperrende Halbleiterschalter (1) als selbst sperrende Multi-Quantenwell-Struktur ausgeführt, welche einen Stapel mit mindestens zwei Schichten (10, 14) aus dem ersten Material (M1) der Gruppe III-Nitride und mit mindestens zwei Schichten (12, 16) aus dem zweiten Material (M2) der Gruppe III-Nitride umfasst, wobei die Schichten (10, 12, 14, 16) abwechselnd angeordnet sind, so dass sich an deren Grenzflächen mindestens zweit leitfähige Kanäle (11, 5) ausbilden, wobei der Stapel auf einer Schicht (18) aus einem dritten Material (M3) aus der Gruppe III-Nitride gesetzt ist.
(EN)The invention relates to a bidirectionally blocking semiconductor switch (1) comprising a first material (M1) from the group III nitrides and a second material (M2) from the group III nitrides, wherein the two materials (M1, M2) have different band gaps (EG, M1, EG, M2), and wherein a conductive channel (11, 15) is formed at an interface between the two materials (M1, M2), and to a corresponding power switching stage comprising at least one such bidirectionally blocking semiconductor switch (1). According to the invention, the bidirectionally blocking semiconductor switch (1) is embodied as a normally off multi quantum well structure comprising a stack having at least two layers (10, 14) composed of the first material (M1) of the group III nitrides and having at least two layers (12, 16) composed of the second material (M2) of the group III nitrides, wherein the layers (10, 12, 14, 16) are arranged alternately, such that at least two conductive channels (11, 15) are formed at the interfaces of said layers, wherein the stack is placed on a layer (18) composed of a third material (M3) from the group III nitrides.
(FR)L'invention concerne un commutateur à semi-conducteur à blocage bidirectionnel (1), comprenant un premier matériau (M1) du groupe des nitrures d'éléments III et un deuxième matériau (M2) du groupe des nitrures d'éléments III. Les deux matériaux (M1, M2) présentent des largeurs de bande interdite (EG,M1, EG,M2) différentes et un canal conducteur (11, 15) est formé au niveau d'une interface entre les deux matériaux (M1, M2). L'invention concerne également un étage de commutation de puissance correspondant équipé d'au moins un commutateur à semi-conducteur à blocage bidirectionnel (1) de ce type. Selon l'invention, le commutateur à semi-conducteur à blocage bidirectionnel (1) est réalisé sous la forme d'une structure autobloquante à puits quantiques multiples comprenant un empilage d'au moins deux couches (10, 14) du premier matériau (M1) du groupe des nitrures d'éléments III et d'au moins deux couches (12, 16) du deuxième matériau (M2) du groupe des nitrures d'éléments III. Les couches (10, 12, 14, 16) sont disposées en alternance de manière à former au niveau de leurs interfaces au moins deux canaux conducteurs (11, 5) et l'empilage est posé sur une couche (18) d'un troisième matériau (M3) du groupe des nitrures d'éléments III.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)