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1. (WO2014095110) PROCEDE OPTIMISE DE FABRICATION DE NANOFILS ELECTROLUMINESCENTS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/095110    N° de la demande internationale :    PCT/EP2013/071161
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 10.10.2013
CIB :
H01L 33/08 (2010.01), H01L 33/18 (2010.01), H01L 33/00 (2010.01), H01L 33/24 (2010.01)
Déposants : ALEDIA [FR/FR]; 7 Prv Louis Neel BP50 F-38040 Grenoble (FR)
Inventeurs : CAGLI, Carlo; (FR)
Mandataire : ESSELIN, Sophie; Marks & Clerk France Conseils en Propriété Industrielle Immeuble Visium 22 avenue Aristide Briand F-94117 Arcueil Cedex (FR)
Données relatives à la priorité :
1262474 20.12.2012 FR
Titre (EN) OPTIMISED METHOD FOR PRODUCING ELECTROLUMINESCENT NANOWIRES
(FR) PROCEDE OPTIMISE DE FABRICATION DE NANOFILS ELECTROLUMINESCENTS
Abrégé : front page image
(EN)The invention concerns a method for producing a set of nanowires (NTn) on the surface of a substrate, said nanowires having a portion capable of emitting radiation on at least one wavelength (λ) under the action of an electrical or optical control and being at least partially connected to each other electrically via an upper conductive layer (60), characterised in that it comprises steps allowing the identification of a sub-set of faulty nanowires (NTi) among the active nanowires (NTj), said steps comprising: - the production of a layer of negative photosensitive resin, sensitive to said emission wavelength (λ), covering all of said nanowires; - the activation of all of said nanowires under electrical control or optical control such that said active nanowires emit said radiation, said radiation reducing the solubility of said negative resin; - the development of said resin at the faulty nanowires (NTi), leaving areas that are made less soluble and surrounding said active nanowires (NTj); - removing said conductive layer above said faulty nanowires. The invention also concerns a method for producing electroluminescent diode(s) using the method of the invention.
(FR)L'invention a pour objet un procédé de fabrication d'un ensemble de nanofils (NTn) à la surface d'un substrat, lesdits nanofils présentant une partie capable d'émettre un rayonnement à au moins une longueur d'onde (λ) sous l'action d'une commande électrique ou optique et étant au moins partiellement connectés entre eux électriquement via une couche supérieure conductrice (60), caractérisé en ce qu'il comporte des étapes permettant l'identification d'un sous-ensemble de nanofils défectueux (NTi) parmi des nanofils actifs (NTj), lesdites étapes comprenant : - la réalisation d'une couche de résine photosensible négative, sensible à ladite longueur d'onde d'émission (λ), recouvrant l'ensemble desdits nanofils; - l'activation de l'ensemble desdits nanofils sous commande électrique ou commande optique de manière à ce que lesdits nanofils actifs émettent ledit rayonnement, ledit rayonnement réduisant la solubilité de ladite résine négative; - le développement de ladite résine au niveau des nanofils défectueux (NTi), laissant des zones rendues moins solubles et entourant lesdits nanofils actifs (NTj); - le retrait de ladite couche conductrice au dessus desdits nanofils défectueux. L'invention a aussi pour objet un procédé de fabrication de diode(s) électroluminescente(s) utilisant le procédé de l'invention.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)