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1. (WO2014094624) STRUCTURE ÉLECTRODE DE COMMANDE TACTILE ET PROCESSUS DE FABRICATION DE CELLE-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/094624    N° de la demande internationale :    PCT/CN2013/089885
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 18.12.2013
CIB :
G06F 3/041 (2006.01)
Déposants : TPK TOUCH SOLUTINS INC. [CN/CN]; 6F No.13-18, Sec. 6, Min Quan E. Rd., Neihu Dist. Taipei City, Taiwan (CN)
Inventeurs : LIU, Chen-Yu; (CN).
LEE, Lu-Hsing; (CN)
Mandataire : LECOME INTELLECTUAL PROPERTY AGENT LTD.; Floor 16 Tower B of IN.DO Mansion No.48-Jia Zhichun Road, Haidian District Beijing 100098 (CN)
Données relatives à la priorité :
201210552359.0 18.12.2012 CN
Titre (EN) TOUCH CONTROL ELECTRODE STRUCTURE AND MANUFACTURING PROCESS THEREFOR
(FR) STRUCTURE ÉLECTRODE DE COMMANDE TACTILE ET PROCESSUS DE FABRICATION DE CELLE-CI
(ZH) 触控电极结构及其制造工艺
Abrégé : front page image
(EN)A manufacturing process for a touch control electrode structure, comprising the steps of: S1: preparing a substrate, and defining a sensing area and a lead area surrounding the sensing area on the substrate; S2: forming an electrode layer on the substrate; S3: forming a first anti-etching optical layer on the electrode layer; S4: etching the electrode layer, and dividing the etched electrode layer into an etching area and a non-etching area; S5: forming a second anti-etching optical layer on the first anti-etching optical layer and the substrate, the second anti-etching optical layer at least exposing a part of the first anti-etching optical layer located in the lead area; S6: etching the first anti-etching optical layer not shielded by the second anti-etching optical layer, so as to expose the electrode layer of the non-etching area located in the lead area; and S7: forming a signal lead, the signal lead being arranged in the lead area and being electrically connected to the exposed electrode layer of the non-etching area. Provided at the same time is a touch control electrode structure manufactured using the process. By using the manufacturing process of the present invention, there will be less process steps, and the process efficiency is higher.
(FR)L'invention concerne un processus de fabrication pour une structure électrode de commande tactile, comprenant les étapes suivantes : S1 : préparer un substrat, et définir une zone de détection et une zone de fil entourant la zone de détection sur le substrat; S2 : former une couche électrode sur le substrat; S3 : former une première couche optique anti-gravure sur la couche électrode; S4 : graver la couche électrode, et diviser la couche électrode gravée entre une zone de gravure et une zone sans gravure; S5 : former une deuxième couche optique anti-gravure sur la première couche optique anti-gravure et le substrat, la deuxième couche optique anti-gravure exposant au moins une partie de la première couche optique anti-gravure située dans la zone de fil; S6 : graver la première couche optique anti-gravure non protégée par la deuxième couche optique anti-gravure, de façon à exposer la couche électrode de la zone sans gravure située dans la zone de fil; et S7 : former un fil de signal, le fil de signal étant agencé dans la zone de fil et étant raccordé électriquement à la couche électrode exposée de la zone sans gravure. L'invention concerne aussi une structure électrode de commande tactile fabriquée en utilisant le processus. En utilisant le processus de fabrication de la présente invention, il y a moins d'étapes du processus et le rendement du processus est plus élevé.
(ZH)一种触控电极结构的制造工艺,包括步骤:S1:准备基板,且在基板上界定感测区与围绕于感测区的引线区;S2:形成电极层于基板上; S3:形成第一防蚀刻光学层于该电极层上;S4:蚀刻电极层,经蚀刻后的电极层分为蚀刻区与非蚀刻区;S5:形成第二防蚀刻光学层于第一防蚀刻光学层和基板上,第二防蚀刻光学层至少裸露部分位于引线区内的第一防蚀刻光学层;S6:蚀刻未被第二防蚀刻光学层遮挡的第一防蚀刻光学层,裸露出位于引线区内的非蚀刻区的电极层;S7:形成信号引线,信号引线设置于引线区内,且电性连接裸露的非蚀刻区的电极层。本发明同时提供采用该制造工艺的触控电极结构。采用本发明的制造工艺,工艺步骤会较少,工艺效率较高。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)