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1. (WO2014094413) CIRCUIT D'ALERTE RAPIDE D'ÉLECTROMIGRATION D'UN CIRCUIT INTÉGRÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/094413    N° de la demande internationale :    PCT/CN2013/077012
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 08.06.2013
CIB :
G01R 31/30 (2006.01)
Déposants : FIFTH ELECTRONICS RESEARCH INSTITUTE OF MINISTRY OF INDUSTRY AND INFORMATION TECHNOLOGY [CN/CN]; No.110, Dongguanzhuang Road, Tianhe District Guangzhou, Guangdong 510610 (CN)
Inventeurs : CHEN, Yiqiang; (CN).
EN, Yunfei; (CN).
HUANG, Yun; (CN).
LU, Yudong; (CN).
XIAO, Qingzhong; (CN)
Mandataire : ADVANCE CHINA I. P. LAW OFFICE; Room 3901, No.85 Huacheng Avenue, Tianhe District Guangzhou, Guangdong 510623 (CN)
Données relatives à la priorité :
201210560083.0 20.12.2012 CN
Titre (EN) ELECTROMIGRATION EARLY WARNING CIRCUIT OF INTEGRATED CIRCUIT
(FR) CIRCUIT D'ALERTE RAPIDE D'ÉLECTROMIGRATION D'UN CIRCUIT INTÉGRÉ
(ZH) 集成电路的电迁移预警电路
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to the integrated circuit-related technical field, and especially relates to an electromigration early warning circuit of an integrated circuit, which comprises a current output module electrically connected to a monitoring metal wire, and one or multiple pieces of conductive metal that are wrapped by an oxide layer of the integrated circuit and electrically insulated from the monitoring metal wire. The current output module comprises at least one current source. The conductive metal is electrically connected to an output end of a current monitoring structure. The conductive metal encircles the monitoring metal wire. The electromigration early warning circuit of the integrated circuit implements early warning for a failure situation due to a short circuit caused by electromigration. In addition, a resistance early warning structure can be added to the electromigration early warning circuit of the integrated circuit in the present invention, so that the electromigration early warning circuit of the integrated circuit in the present invention can detect a short circuit no matter whether the short circuit is caused by increase of resistance or a crystal whisker, thus greatly improving early warning efficiency for an electromigration phenomenon.
(FR)La présente invention concerne le domaine technique associé aux circuits intégrés, et en particulier concerne un circuit d'alerte rapide d'électromigration d'un circuit intégré, qui comprend un module de sortie de courant électriquement connecté à un fil métallique de surveillance, et une ou plusieurs pièces de métal conducteur qui sont enveloppées par une couche d'oxyde du circuit intégré et isolées électriquement du fil métallique de surveillance. Le module de sortie de courant comprend au moins une source de courant. Le métal conducteur est électriquement connecté à une extrémité de sortie d'une structure de surveillance de courant. Le métal conducteur encercle le fil métallique de surveillance. Le circuit d'alerte rapide d'électromigration du circuit intégré implémente une alerte rapide pour une situation de défaillance due à un court-circuit provoqué par une électromigration. En outre, une structure d'alerte rapide de résistance peut être ajoutée au circuit d'alerte rapide d'électromigration du circuit intégré de la présente invention, de sorte que le circuit d'alerte rapide d'électromigration du circuit intégré de la présente invention puisse détecter un court-circuit, que le court-circuit soit provoqué par une augmentation de la résistance ou une trichite, ce qui améliore fortement l'efficacité d'alerte rapide pour un phénomène d'électromigration.
(ZH)本发明涉及集成电路相关技术领域,特别是涉及集成电路的电迁移预警电路,包括与监测金属导线电气连接的电流输出模块,以及被所述集成电路的氧化层包裹且与所述监测金属导线电气绝缘的一个或多个导电金属,所述电流输出模块包括至少一个电流源,所述导电金属与电流监测结构的输出端电气互连,所述导电金属环绕监测金属导线。上述集成电路的电迁移预警电路,实现了对因电迁移导致短路而失效的情况进行预警,同时,本发明的集成电路的电迁移预警电路还可以增加电阻预警结构,则无论是电阻增大还是晶须引起短路,均可以被本发明的集成电路的电迁移预警电路监测得到,从而能极大的提高对电迁移现象的预警效率。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)