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1. (WO2014094356) SOLUTION DÉCAPANTE DE PHOTORÉSINE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/094356    N° de la demande internationale :    PCT/CN2013/001501
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 03.12.2013
CIB :
C11D 7/26 (2006.01), C11D 7/32 (2006.01), C11D 7/34 (2006.01), G03F 7/42 (2006.01)
Déposants : ANJI MICROELECTRONICS TECHNOLOGY (SHANGHAI) CO., LTD [CN/CN]; T6-9, No. 5001, Huadong Road Shanghai Jinqiao Export Processing Zone (South Zone), Pudong New Disctrict Shanghai 201201 (CN)
Inventeurs : LIU, Bing; (CN).
PENG, Hongxiu; (CN).
SUN, Guangsheng; (CN).
YAN, Jinli; (CN)
Mandataire : HANHONG LAW FIRM; Room 1506-07 New Huangpu Financial Building No.61 East Nanjing Road Shanghai 200002 (CN)
Données relatives à la priorité :
201210546307.2 17.12.2012 CN
Titre (EN) PHOTORESIST REMOVER
(FR) SOLUTION DÉCAPANTE DE PHOTORÉSINE
(ZH) 一种光刻胶去除剂
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a cleaning solution with low etching ability suitable for cleaning a relatively thick photoresist. The photoresist cleaning solution with low etching ability contains (a) a quaternary ammonium hydroxide, (b) an ethanol amine, (c) a sugar or sugar alcohol, (d) a surfactant, and (e) a solvent. The photoresist cleaning agent with low etching ability can effectively remove the photoresist on a semiconductor wafer, and at the same time fundamentally won't attack a substrate of metals such as aluminum, copper and the like, and has good application prospects in the field of semiconductor wafer cleaning etc.
(FR)L'invention concerne une solution de nettoyage à léger pouvoir décapant appropriée pour le nettoyage d'une photorésine relativement épaisse. La solution de nettoyage de la photorésine à léger pouvoir décapant contient (a) un hydroxyde d'ammonium quaternaire, (b) de l'éthanolamine, (c) un sucre ou un alcool de sucre, (d) un tensioactif et (e) un solvant. L'agent de nettoyage de la photorésine à léger pouvoir décapant permet d'éliminer efficacement la photorésine sur une tranche semi-conductrice sans attaquer le substrat métallique, par exemple l'aluminium ou le cuivre, et présente des perspectives d'application intéressantes, notamment dans le domaine du nettoyage des tranches semi-conductrices.
(ZH)本发明公开了一种低蚀刻性的适用于较厚光刻胶清洗的淸洗液。该低蚀刻性的光刻胶清洗液含有(a)季铵氢氧化物(b)醇胺(c)糖或糖醇(d)表面活性剂以及(e)溶剂。该低蚀刻性的光刻胶清洗剂能够高效的去除半导体晶圆上的光刻胶,同时对于基材基本没有攻击如金属铝、铜等,在半导体晶圆清洗等领域具有良好的应用前景。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)