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1. (WO2014094103) TRAITEMENT ET PROCÉDÉ DE NETTOYAGE À SEC IN SITU DE RÉACTEURS DE DÉPÔT DE FILM MINCE ET DE COUCHES DE FILM MINCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/094103    N° de la demande internationale :    PCT/CA2012/001164
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 18.12.2012
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    02.10.2013    
CIB :
B08B 9/08 (2006.01), C09K 13/00 (2006.01)
Déposants : SEASTAR CHEMICALS INC. [CA/CA]; 10005 McDonald Park Road Sidney, British Columbia V8L 5Y2 (CA)
Inventeurs : ODEDRA, Rajesh; (CA)
Mandataire : SMITHS IP; Suite 330 - 1508 West Broadway Vancouver, British Columbia V6J 1W8 (CA)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) PROCESS AND METHOD FOR IN-SITU DRY CLEANING OF THIN FILM DEPOSITION REACTORS AND THIN FILM LAYERS
(FR) TRAITEMENT ET PROCÉDÉ DE NETTOYAGE À SEC IN SITU DE RÉACTEURS DE DÉPÔT DE FILM MINCE ET DE COUCHES DE FILM MINCE
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to the use of thionyl chloride and related materials for dry etching of internal surfaces of metal-organic vapour phase epitaxy (MOVPE) reactors to remove deposits. The method is also useful for the dry etching of process substrates within such reactors for cleaning and processing of those substrates. The invention may be particularly adaptable to chemical vapor deposition reactors used in the manufacture of high brightness LED's based on III - V semiconductors such as GaN and related materials. Features of the process include thermal, UV, and plasma activated dry cleaning, and the use of etchant gases such as COCl2, COBr2, COl2, SOl2, SOCl2, SOBr2, SO2Cl2, SO2Br2, NOCI, NOBr, NOl, S2Cl2, S2Br2, SCI2, SBr2, SOClBr, SOClF and SOFBr, either formed from neat materials or combinations of constituent gases such as CO, SO, SO2 or NO with halogens, to achieve the desired effect.
(FR)La présente invention concerne l'utilisation de chlorure de thionyle et de substances associées pour la gravure à sec de surfaces internes de réacteurs d'épitaxie en phase gazeuse organométallique (EPVOM) en vue d'éliminer des dépôts. La procédé est également utile pour la gravure à sec de substrats de traitement à l'intérieur de tels réacteurs en vue du nettoyage et du traitement desdits substrats. L'invention peut être en particulier adaptée à des réacteurs de dépôt chimique en phase vapeur utilisés dans la fabrication de DEL haute luminosité basées sur des semi-conducteurs III-V tels que des semi-conducteurs GaN et à base de matériaux associés. Des caractéristiques du traitement comprennent un nettoyage à sec activé thermiquement, par UV et par plasma, et l'utilisation de gaz de gravure tels que COCl2, COBr2, COI2, SOCl, SOCl2, SOBr2, SO2Cl2, SO2Br2, NOCl, NOBr, NOI, S2Cl2, S2Br2, SCl2, SBr2, SOClBr, SOCIF et SOFBr, formés soit à partir de substances pures, soit à partir de combinaisons de constituants gazeux tels que CO, SO, SO2 ou NO avec des halogènes, en vue d'obtenir l'effet souhaité.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)