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1. (WO2014093938) FABRICATION D'ÉLECTRODES À GRANDE SURFACE TRIDIMENSIONNELLES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/093938    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/075192
Date de publication : 19.06.2014 Date de dépôt international : 13.12.2013
CIB :
H01L 21/28 (2006.01)
Déposants : CALIFORNIA INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 1200 E. California Blvd., M/C 210-85 Pasadena, CA 91125 (US)
Inventeurs : MUJEEB-U-RAHMAN, Muhammad; (US).
SCHERER, Axel; (US)
Mandataire : NGUYEN, Thomas; 155 N. Lake Ave., Suite 700 Pasadena, CA 91101 (US)
Données relatives à la priorité :
61/736,944 13.12.2012 US
Titre (EN) FABRICATION OF THREE-DIMENSIONAL HIGH SURFACE AREA ELECTRODES
(FR) FABRICATION D'ÉLECTRODES À GRANDE SURFACE TRIDIMENSIONNELLES
Abrégé : front page image
(EN)A method for fabricating three dimensional high surface electrodes is described. The methods including the steps: designing the pillars; selecting a material for the formation of the pillars; patterning the material; transferring the pattern to form the pillars; insulating the pillars and providing a metal layer for increased conductivity. Alternative methods for fabrication of the electrodes and fabrication of the electrodes using CMOS are also described.
(FR)L'invention porte sur un procédé qui permet de fabriquer des électrodes à grande surface tridimensionnelles. Les procédés comprennent les étapes suivantes : la conception des piliers; la sélection d'un matériau pour la formation des piliers; la formation d'un motif dans le matériau; le transfert du motif pour former les piliers; l'isolation des piliers et la disposition d'une couche métallique pour une plus grande conductivité. L'invention concerne également d'autres procédés pour la fabrication des électrodes et la fabrication des électrodes à l'aide de la technologie CMOS.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)