WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2014093820) PROCÉDÉS DE FABRICATION DE MODULE PHOTOVOLTAÏQUE, ET SYSTÈME ASSOCIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/093820    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/075010
Date de publication : 19.06.2014 Date de dépôt international : 13.12.2013
CIB :
H05B 41/39 (2006.01)
Déposants : FIRST SOLAR, INC. [US/US]; 350 W. Washington Street, 6th Floor Tempe, AZ 85281 (US)
Inventeurs : KOREVAAR, Bastiaan, Arie; (US).
CAO, Jinbo; (US).
HALVERSON, Adam, Fraser; (US).
FELDMAN-PEABODY, Scott, Daniel; (US).
PAVOL, Mark, Jeffrey; (US).
JENSEN, Douglas, Garth; (US)
Mandataire : WORREL, Christopher, W.; MacMillan, Sobanski & Todd, LLC One Maritime Plaza, 5th Floor 720 Water Street Toledo, OH 43604 (US)
Données relatives à la priorité :
13/713,697 13.12.2012 US
Titre (EN) METHODS OF FABRICATING A PHOTOVOLTAIC MODULE, AND RELATED SYSTEM
(FR) PROCÉDÉS DE FABRICATION DE MODULE PHOTOVOLTAÏQUE, ET SYSTÈME ASSOCIÉ
Abrégé : front page image
(EN)A method of processing a semiconductor assembly is presented. The method includes fabricating a photovoltaic module including a semiconductor assembly. The fabrication step includes performing an efficiency enhancement treatment on the semiconductor assembly, wherein the efficiency enhancement treatment includes light soaking the semiconductor assembly, and heating the semiconductor assembly. The semiconductor assembly includes a window layer having an average thickness less than about 80 nanometers, wherein the window layer includes cadmium and sulfur. A related system is also presented.
(FR)L'invention concerne un procédé de traitement d'un ensemble semi-conducteur. Le procédé comprend la fabrication d'un module photovoltaïque comprenant un ensemble semi-conducteur. L'étape de fabrication comprend la réalisation d'un traitement d'amélioration de rendement sur l'ensemble semi-conducteur, le traitement d'amélioration de rendement comprenant l'illumination prolongée de l'ensemble semi-conducteur, et le chauffage de l'ensemble semi-conducteur. L'ensemble semi-conducteur comprend une couche de fenêtre ayant une épaisseur inférieure à environ 80 nanomètres, la couche de fenêtre comprenant du cadmium et du soufre. L'invention concerne également un système associé.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)