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1. (WO2014093779) REVÊTEMENT À FAIBLE ÉMISSIVITÉ AMÉLIORÉ AVEC MATÉRIAU DE COUCHE DE BASE OPTIMAL ET EMPILAGE DE COUCHES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/093779    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/074930
Date de publication : 19.06.2014 Date de dépôt international : 13.12.2013
CIB :
C03C 17/34 (2006.01)
Déposants : INTERMOLECULAR, INC. [US/US]; 3011 North First Street San Jose, California 95134 (US).
GUARDIAN INDUSTRIES CORP. [US/US]; 2300 Harmon Road Auburn Hills, Michigan 95034 (US)
Inventeurs : WANG, Yu; (US).
BOYCE, Brent; (US).
DING, Guowen; (US).
HASSAN, Mohd; (US).
LE, Minh Huu; (US).
LIANG, Haifan; (US).
SUN, Zhi-Wen; (US)
Mandataire : HELMS, Aubrey, Jr.; Intermolecular, Inc. 3011 North First St. San Jose, California 95134 (US)
Données relatives à la priorité :
13/715,588 14.12.2012 US
Titre (EN) IMPROVED LOW EMISSIVITY COATING WITH OPTIMAL BASE LAYER MATERIAL AND LAYER STACK
(FR) REVÊTEMENT À FAIBLE ÉMISSIVITÉ AMÉLIORÉ AVEC MATÉRIAU DE COUCHE DE BASE OPTIMAL ET EMPILAGE DE COUCHES
Abrégé : front page image
(EN)A method for making low emissivity panels, including forming a base layer to promote a seed layer for a conductive silver layer. The base layer can be an amorphous layer or a nanocrystalline layer, which can facilitate zinc oxide seed layer growth, together with smoother surface and improved thermal stability. The base layer can include doped tin oxide, for example, tin oxide doped with Al, Ga, In, Mg, Ca, Sr, Sb, Bi, Ti, V, Y, Zr, Nb, Hf, Ta, or any combination thereof. The doped tin oxide base layer can influence the growth of (002) crystallographic orientation in zinc oxide, which in turn serves as a seed layer template for silver (111).
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de panneaux de faible émissivité, comprenant la formation d'une couche de base pour favoriser une couche de germination pour une couche d'argent conductrice. La couche de base peut être une couche amorphe ou une couche nanocristalline, qui peut favoriser la croissance de la couche de germination d'oxyde de zinc, en conjugaison avec une surface plus lisse et une stabilité thermique améliorée. La couche de base peut comprendre de l'oxyde d'étain dopé, par exemple, de l'oxyde d'étain dopé avec Al, Ga, In, Mg, Ca, Sr, Sb, Bi, Ti, V, Y, Zr, Nb, Hf, Ta, ou n'importe quelle combinaison de ceux-ci. La couche de base d'oxyde d'étain dopé peut avoir une influence sur la croissance de (002) l'orientation cristallographique dans l'oxyde de zinc, qui à son tour sert de modèle de couche de germination pour l'argent (111).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)