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1. (WO2014093681) TRANSISTORS ISOLANTS TOPOLOGIQUES À PERFORMANCE ÉLEVÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/093681    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/074773
Date de publication : 19.06.2014 Date de dépôt international : 12.12.2013
CIB :
H01L 29/66 (2006.01)
Déposants : QILIANG, Li [US/US]; (US).
RICHTER, Curt, A. [US/US]; (US).
ZHU, Hao [US/US]; (US)
Inventeurs : QILIANG, Li; (US).
RICHTER, Curt, A.; (US).
ZHU, Hao; (US)
Mandataire : HARPER, M., Bruce; Williams Mullen 999 Waterside Drive, Suite 1700 Norfolk, VA 23510 (US)
Données relatives à la priorité :
61/736,743 13.12.2012 US
61/745,565 22.12.2012 US
Titre (EN) HIGH PERFORMANCE TOPOLOGICAL INSULATOR TRANSISTORS
(FR) TRANSISTORS ISOLANTS TOPOLOGIQUES À PERFORMANCE ÉLEVÉE
Abrégé : front page image
(EN)Topological insulators, such as single-crystal Bi2Se3 nanowires, can be used as the conduction channel in high-performance transistors, a basic circuit building block. Such transistors exhibit current- voltage characteristics superior to semiconductor nanowire transistors, including sharp turn-on, nearly zero cutoff current, very large On/Off current ratio, and well-saturated output current. The metallic electron transport at the surface with good effective mobility can be effectively separated from the conduction of the bulk topological insulator and adjusted by field effect at a small gate voltage. Topological insulators such as Bi2Se3; also have a magneto-electric effect that causes transistor threshold voltage shifts with external magnetic field. These properties are desirable for numerous microelectronic and nanoelectronic circuitry applications, among other applications.
(FR)L'invention concerne des isolants topologiques, tels que des nanofils en Bi2Se3 monocristallins, qui peuvent être utilisés en tant que canal de conduction dans des transistors à haute performance, un bloc de construction de circuit basique. De tels transistors présentent des caractéristiques en courant-tension supérieures à des transistors en nanofil semi-conducteur, comprenant un allumage rapide, un courant de coupure proche de zéro, un très grand rapport de courant marche/arrêt, et un courant de sortie bien saturé. Le transport d'électrons métalliques à la surface avec une bonne mobilité efficace peut être séparé efficacement de la conduction de l'isolant topologique massif et ajusté par effet de champ à une faible tension de grille. Des isolants topologiques tels que Bi2Se3 possèdent également un effet magnéto-électrique qui amène une tension de seuil de transistor à se décaler avec un champ magnétique externe. Ces propriétés sont désirables pour de nombreuses applications de circuiterie microélectronique et nanoélectronique, parmi d'autres applications.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)