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1. (WO2014093611) FORMATION DE GRILLES HAUTE TENSION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/093611    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/074651
Date de publication : 19.06.2014 Date de dépôt international : 12.12.2013
CIB :
H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : SPANSION LLC [US/US]; 915 Deguigne Drive Sunnyvale, CA 94088-3453 (US)
Inventeurs : FANG, Shenqing; (US).
CHEN, Chun; (US)
Mandataire : FEATHERSTONE, Donald, J.; Sterne, Kessler, Goldstein & Fox PLLC 1100 New York Avenue NW Washington, DC 20005 (US)
Données relatives à la priorité :
13/715,739 14.12.2012 US
Titre (EN) HIGH VOLTAGE GATE FORMATION
(FR) FORMATION DE GRILLES HAUTE TENSION
Abrégé : front page image
(EN)Embodiments described herein generally relate to methods of manufacturing charge- trapping memory by patterning the high voltage gates before other gates are formed. One advantage of such an approach is that a thin poly layer may be used to form memory and low voltage gates while protecting high voltage gates from implant penetration. One approach to accomplishing this is to dispose the layer of poly, and then dispose a mask and a thick resist to pattern the high voltage gates. In this manner, the high voltage gates are formed before either the low voltage gates or the memory cells.
(FR)Les modes de réalisation décrits concernent de manière générale des procédés de fabrication d'une mémoire à piégeage de charge, qui consistent à produire un motif sur les grilles haute tension avant de former d'autres grilles. L'avantage d'une telle approche réside dans le fait qu'elle permet d'utiliser une couche mince de poly pour former la mémoire et les grilles basse tension, et de protéger en même temps les grilles haute tension contre une pénétration d'implants. Pour ce faire, une approche consiste à placer la couche de poly, et à placer ensuite un masque et une photorésine épaisse afin de produire un motif sur les grilles haute tension. De cette manière, les grilles haute tension sont formées avant les grilles basse tension et les cellules de mémoire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)