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1. (WO2014093536) IMPLANTATION IONIQUE AMÉLIORÉE POUR CONTRÔLE DE DÉFAUTS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/093536    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/074472
Date de publication : 19.06.2014 Date de dépôt international : 11.12.2013
CIB :
H01L 29/66 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01)
Déposants : VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. [US/US]; 35 Dory Road Gloucester, Massachusetts 01930 (US)
Inventeurs : WAITE, Andrew M.; (US).
TODOROV, Stanislav; (US)
Mandataire : DAISAK, Daniel; Kacvinsky Daisak PLLC 3120 Princeton Pike Suite 303 Lawrenceville, New Jersey 08648 (US)
Données relatives à la priorité :
61/736,053 12.12.2012 US
13/897,666 20.05.2013 US
Titre (EN) IMPROVED ION IMPLANT FOR DEFECT CONTROL
(FR) IMPLANTATION IONIQUE AMÉLIORÉE POUR CONTRÔLE DE DÉFAUTS
Abrégé : front page image
(EN)Various methods for implanting dopant ions into a three dimensional feature of a semiconductor wafer are disclosed. The implant temperature may be varied to insure that the three dimensional feature, after implant, has a crystalline inner core, which is surrounded by an amorphized surface layer. The crystalline core provides a template from which the crystalline structure for the rest of the feature can be regrown. In some embodiments, the implant energy and the implant temperature may each be modified to achieve the desired crystalline inner core with the surrounding amorphized surface layer.
(FR)L'invention concerne des procédés variés pour implanter des ions dopants dans une caractéristique tridimensionnelle de tranche semi-conductrice. La température d'implantation peut varier afin d'assurer que la caractéristique tridimensionnelle, après l'implantation, comprend un noyau cristallin interne qui est entouré d'une couche de surface rendue amorphe. Le noyau cristallin comprend un gabarit à partir duquel la structure cristalline peut être reformée pour le reste de la caractéristique. Dans certains modes de réalisation, l'énergie et la température d'implantation peuvent chacune être modifiées afin d'obtenir le noyau cristallin interne souhaité avec la couche de surface environnante rendue amorphe.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)