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1. (WO2014093317) ENSEMBLE À HAUTES PERFORMANCES SUR UN ENSEMBLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/093317    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/074079
Date de publication : 19.06.2014 Date de dépôt international : 10.12.2013
CIB :
H01L 25/065 (2006.01), H01L 23/31 (2006.01), H01L 23/538 (2006.01), H01L 25/10 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01)
Déposants : INVENSAS CORPORATION [US/US]; 3025 Orchard Parkway San Jose, CA 95134 (US)
Inventeurs : MOHAMMED, Ilyas; (US).
HABA, Belgacem; (US)
Mandataire : KARLIN, Joseph, H.; Lerner, David, Littenberg, Krumholz & Mentlik, LLP 600 South Avenue West Westfield, NJ 07090 (US)
Données relatives à la priorité :
13/709,723 10.12.2012 US
Titre (EN) HIGH PERFORMANCE PACKAGE ON PACKAGE
(FR) ENSEMBLE À HAUTES PERFORMANCES SUR UN ENSEMBLE
Abrégé : front page image
(EN)A microelectronic assembly (5) can include a first package (110) comprising a processor (130) and a second package (10) electrically connected to the first package. The second package (10) can include two or more microelectronic elements (30) each having memory storage array function and contacts (35) at a respective element face (31), upper and lower opposite package faces (11, 12), upper and lower terminals (25, 45) at the respective upper and lower package faces, and electrically conductive structure (14) extending through the second package. Edges (32) of respective microelectronic elements (30) of the two or more microelectronic elements can be spaced apart from one another, so as to define a central region (23) between the edges. The electrically conductive structure (14) can be aligned with the central region (23) and can electrically connect the lower terminals (45) with at least one of: the upper terminals (25) or the contacts (35).
(FR)L'invention porte sur un ensemble microélectronique (5), qui peut comprendre un premier ensemble (110) comprenant un processeur (130) et un second ensemble (10) électriquement connecté au premier ensemble. Le second ensemble (10) peut comprendre deux ou plusieurs éléments microélectroniques (30) ayant chacun une fonction de groupement de stockage en mémoire et des contacts (35) au niveau d'une face d'élément respective (31), des faces d'ensemble opposées supérieure et inférieure (11, 12), des bornes supérieures et inférieures (25, 45) au niveau des faces d'ensemble supérieure et inférieure respectives, et une structure électriquement conductrice (14) s'étendant à travers le second ensemble. Des bords (32) des éléments microélectroniques respectifs (30) des deux ou plusieurs éléments microélectroniques peuvent être mutuellement espacés les uns des autres, de façon à définir une région centrale (23) entre les bords. La structure électriquement conductrice (14) peut être alignée avec la région centrale (23) et peut connecter électriquement les bornes inférieures (45) à au moins l'un parmi : les bornes supérieures (25) ou les contacts (35).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)