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1. (WO2014093304) CAPTEUR AYANT UNE THERMISTANCE INTÉGRÉE POUR MESURE DE TEMPÉRATURE LOCALE PRÉCISE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/093304    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/074051
Date de publication : 19.06.2014 Date de dépôt international : 10.12.2013
CIB :
B81B 7/00 (2006.01), G01K 7/22 (2006.01)
Déposants : ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 D-70442 Stuttgart (DE).
GRAHAM, Andrew [US/US]; (US).
FEYH, Ando [DE/US]; (US).
O'BRIEN, Gary [US/US]; (US)
Inventeurs : GRAHAM, Andrew; (US).
FEYH, Ando; (US).
O'BRIEN, Gary; (US)
Mandataire : MAGINOT, Paul, J.; Maginot, Moore & Beck LLP One Indiana Square, Suite 2200 Indianapolis, IN 46204 (US)
Données relatives à la priorité :
61/736,838 13.12.2012 US
Titre (EN) SENSOR WITH AN EMBEDDED THERMISTOR FOR PRECISE LOCAL TEMPERATURE MEASUREMENT
(FR) CAPTEUR AYANT UNE THERMISTANCE INTÉGRÉE POUR MESURE DE TEMPÉRATURE LOCALE PRÉCISE
Abrégé : front page image
(EN)A resistive temperature sensor (thermistor) for a microelectromechanical system (MEMS) device provides local temperatures of MEMS sensors and other MEMS devices for temperature compensation. Local accurate temperatures of the sensors and other devices provide for temperature compensation of such sensors or devices. By incorporating the thermistor structure into a MEMS device, an accurate temperature is sensed and measured adjacent to or within the structural layers of the device. In one embodiment, the thermistor is located within a few micrometers of the primary device.
(FR)La présente invention porte sur un capteur de température résistif (thermistance), pour un dispositif de système microélectromécanique (MEMS), qui fournit des températures locales de capteurs MEMS et d'autres dispositifs MEMS pour une compensation de température. Les températures locales précises des capteurs et d'autres dispositifs permettent une compensation de température de tels capteurs ou dispositifs. En incorporant la structure de thermistance dans un dispositif MEMS, une température précise est détectée et mesurée, adjacente à des couches structurelles du dispositif ou à l'intérieur de celles-ci. Selon un mode de réalisation, la thermistance est positionnée à quelques micromètres du dispositif primaire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)