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1. (WO2014093193) PROCÉDÉS DE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS OLED
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/093193    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/073785
Date de publication : 19.06.2014 Date de dépôt international : 09.12.2013
CIB :
H01L 51/52 (2006.01), H01L 51/56 (2006.01)
Déposants : CORNING INCORPORATED [US/US]; 1 Riverfront Plaza Corning, New York 14831 (US)
Inventeurs : BELLMAN, Robert Alan; (US).
BOOKBINDER, Dana Craig; (US).
MANLEY, Robert George; (US).
MAZUMDER, Prantik; (US)
Mandataire : SCHMIDT, Jeffrey A; Corning Incorporated Intellectual Property Department SP-Ti-03-01 Corning, New York 14831 (US)
Données relatives à la priorité :
61/736,871 13.12.2012 US
14/047,514 07.10.2013 US
Titre (EN) METHODS FOR PROCESSING OLED DEVICES
(FR) PROCÉDÉS DE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS OLED
Abrégé : front page image
(EN)Methods for making electronic devices on thin sheets (20) bonded to carriers (10). A surface modification layer (30) and associated heat treatments, may be provided on a sheet (20), a carrier (10), or both, to control both room-temperature van der Waals (and/or hydrogen) bonding and high temperature covalent bonding between the thin sheet and carrier during the electronic device processing. The room-temperature bonding is controlled so as to be sufficient to hold the thin sheet and carrier together during vacuum processing, wet processing, and/or ultrasonic cleaning processing, during the electronic device processing. And at the same time, the high temperature covalent bonding is controlled so as to prevent a permanent bond between the thin sheet and carrier during high temperature processing, during the electronic device processing, as well as maintain a sufficient bond to prevent delamination during high temperature processing.
(FR)L'invention concerne des procédés de fabrication de dispositifs électroniques sur des feuilles minces (20) collées à des supports (10). Une couche (30) de modification de surface et des traitements thermiques associés peuvent être appliqués à une feuille (20) et/ou à un support (10) pour réguler à la fois les liaisons de van der Waals (et/ou hydrogène) à température ambiante et les liaisons covalentes à haute température entre la feuille mince et le support pendant le traitement des dispositifs électroniques. La liaison à température ambiante est régulée de façon à être suffisante pour maintenir ensemble la feuille mince et le support pendant un traitement sous vide, un traitement humide et/ou un traitement de nettoyage ultrasonique, au cours du traitement des dispositifs électroniques. En même temps, la liaison covalente à haute température est régulée de façon à empêcher une adhérence définitive entre la feuille mince et le support pendant un traitement à haute température, au cours du traitement des dispositifs électroniques, tout en maintenant une adhérence suffisante pour empêcher le décollement pendant le traitement à haute température.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)