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1. (WO2014093087) PROCÉDÉS DE FORMATION ET D'ANALYSE DE SILICIUM DOPÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/093087    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/073053
Date de publication : 19.06.2014 Date de dépôt international : 04.12.2013
CIB :
C01B 33/02 (2006.01), C30B 13/00 (2006.01), C30B 29/06 (2006.01), G01N 21/64 (2006.01)
Déposants : HEMLOCK SEMICONDUCTOR CORPORATION [US/US]; 12334 Geddes Road Hemlock, MI 48626 (US)
Inventeurs : KRESZOWSKI, Douglas, Homer; (US).
LANNING, Elizabeth; (US)
Mandataire : KOSTIEW, Krista, A.; Cantor Colburn LLP 20 Church Street 22nd Flr. Hartford, CT 06103 (US)
Données relatives à la priorité :
61/735,777 11.12.2012 US
Titre (EN) METHODS OF FORMING AND ANALYZING DOPED SILICON
(FR) PROCÉDÉS DE FORMATION ET D'ANALYSE DE SILICIUM DOPÉ
Abrégé : front page image
(EN)Methods of forming and analyzing doped monocrystalline silicon each comprise the steps of providing: a vessel, particulate silicon, a dopant, and a float-zone apparatus. The vessel for each method comprises silicon and defines a cavity. The methods each further comprise the steps of combining the particulate silicon and the dopant to form treated particulate silicon, and disposing the treated particulate silicon into the cavity of the vessel. The methods yet further comprise the step of float-zone processing the vessel and the treated particulate silicon into doped monocrystalline silicon with the float-zone apparatus. The analytical method further comprises the step of providing an instrument. The analytical method yet further comprises the steps of removing a piece from the doped monocrystalline silicon, and determining the concentration of the dopant in the piece with the instrument. The methods are useful for forming and analyzing monocrystalline silicon having various types and/or concentrations of dopant(s).
(FR)L'invention porte sur des procédés de formation et d'analyse de silicium monocristallin dopé, comprenant chacun les étapes consistant à utiliser : une cuve, du silicium particulaire, un dopant et un appareil à zone flottante. La cuve pour chaque procédé comprend du silicium et délimite une cavité. Les procédés comprennent chacun en outre les étapes consistant à combiner le silicium particulaire et le dopant pour former du silicium particulaire traité et disposer le silicium particulaire traité dans la cavité de la cuve. Les procédés comprennent encore en outre l'étape consistant à transformer par zone flottante la cuve et le silicium particulaire traité en silicium monocristallin dopé avec l'appareil à zone flottante. Le procédé d'analyse comprend en outre l'étape consistant à utiliser un instrument. Le procédé d'analyse comprend encore en outre les étapes consistant à enlever une partie du silicium monocristallin dopé et déterminer la concentration du dopant dans la partie avec l'instrument. Les procédés sont utiles pour la formation et l'analyse de silicium monocristallin ayant divers types et/ou diverses concentrations d'un ou plusieurs dopants.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)