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1. (WO2014092943) ISOLATION PAR INTERVALLE D'AIR DANS UNE MÉMOIRE NON VOLATILE À L'AIDE DE FILMS SACRIFICIELS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/092943    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/070839
Date de publication : 19.06.2014 Date de dépôt international : 19.11.2013
CIB :
H01L 27/115 (2006.01), H01L 29/788 (2006.01), H01L 29/66 (2006.01), H01L 21/764 (2006.01)
Déposants : SANDISK TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; Two Legacy Town Center 6900 North Dallas Parkway Plano, TX 75024 (US).
FUJIMOTO, Hitomi [JP/JP]; (US) (US only).
IUCHI, Hiroaki [JP/JP]; (US) (US only).
TIAN, Ming [CN/CN]; (US) (US only).
MAEKAWA, Daisuke [JP/JP]; (US) (US only)
Inventeurs : FUJIMOTO, Hitomi; (US).
IUCHI, Hiroaki; (US).
TIAN, Ming; (US).
MAEKAWA, Daisuke; (US)
Mandataire : MAGEN, Burt; Vierra Magen Marcus Llp 575 Market Street, Suite 3750 San Francisco, CA 94105 (US)
Données relatives à la priorité :
13/712,788 12.12.2012 US
Titre (EN) AIR GAP ISOLATION IN NON-VOLATILE MEMORY USING SACRIFICIAL FILMS
(FR) ISOLATION PAR INTERVALLE D'AIR DANS UNE MÉMOIRE NON VOLATILE À L'AIDE DE FILMS SACRIFICIELS
Abrégé : front page image
(EN)Electrical isolation in non-volatile memory is provided by air gaps formed using sacrificial films of differing etch rates. A high etch rate material (650) is formed in an isolation trench (630). Flowable chemical vapor deposition processes are used to form high etch rate films, and curing is performed to increase their etch rate. A low etch material (652) is formed over the high etch rate material and provides a controlled etch back between charge storage regions in a row direction. A discrete low etch rate layer can be formed or the high etch rate material can be oxidized to form an upper region with a lower etch rate. A controlled etch back enables formation of a wrap-around dielectric (661) and control gate (665) structure in the row direction with minimized variability in the dimensions of the structures. At least a portion of the high etch rate material is removed to form air gaps (680) for isolation.
(FR)Une isolation électrique dans une mémoire non volatile est assurée par des intervalles d'air formés à l'aide de films sacrificiels ayant différentes vitesses de gravure. Un matériau à vitesse de gravure élevée (650) est formé dans une tranchée d'isolation (630). Des procédés de dépôt chimique en phase vapeur à écoulement sont utilisés pour former des films à vitesse de gravure élevée, et un durcissement est réalisé pour augmenter leur vitesse de gravure. Un matériau à faible vitesse de gravure (652) est formé sur le matériau à vitesse de gravure élevée et fournit un dos de gravure commandé entre des régions de stockage de charge dans une direction de ligne. Une couche à faible vitesse de gravure, discrète, peut être formée ou le matériau à vitesse de gravure élevée peut être oxydé pour former une région supérieure ayant une vitesse de gravure inférieure. Un dos de gravure contrôlé permet la formation d'une structure enveloppante diélectrique (661) et grille de commande (665) dans la direction de ligne ayant une variabilité rendue minimale dans les dimensions des structures. Au moins une partie du matériau à vitesse de gravure élevée est retirée pour former des intervalles d'air (680) pour l'isolation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)