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1. (WO2014092852) CAVITÉ À CRISTAUX PHOTONIQUES DE NANO-FAISCEAUX, COMPACTE ET ACCORDABLE, À FAIBLE CONSOMMATION D'ÉNERGIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/092852    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/064413
Date de publication : 19.06.2014 Date de dépôt international : 10.10.2013
CIB :
G02B 6/12 (2006.01), G02B 6/10 (2006.01)
Déposants : CALIFORNIA INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 1200 E. California Blvd., MC 210-85 Pasadena, CA 91125 (US)
Inventeurs : DOS SANTOS FEGADOLLI, William; (US).
SCHERER, Axel; (US)
Mandataire : STEINFL, Alessandro; 155 North Lake Avenue, Suite 700 Pasadena, CA 91101 (US)
Données relatives à la priorité :
61/736,379 12.12.2012 US
Titre (EN) COMPACT TUNABLE PHOTONIC CRYSTAL NANOBEAM CAVITY WITH LOW POWER CONSUMPTION
(FR) CAVITÉ À CRISTAUX PHOTONIQUES DE NANO-FAISCEAUX, COMPACTE ET ACCORDABLE, À FAIBLE CONSOMMATION D'ÉNERGIE
Abrégé : front page image
(EN)Methods and devices for a tunable photonic crystal nanobeam cavity are disclosed. Such nanobeam cavity has high Q-factor and can be integrated with a microheater. The resonant wavelength of the cavity can be tuned to attain a high modulation depth with low power consumption.
(FR)La présente invention concerne des procédés et des dispositifs destinés à une cavité accordable à cristaux photoniques de nano-faisceaux. Cette cavité à nano-faisceaux est dotée d'un facteur Q élevé et peut être intégrée à un microélément chauffant. On peut accorder la longueur d'onde de résonance de la cavité pour obtenir une grande profondeur de modulation avec une faible consommation d'énergie.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)