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1. (WO2014092846) FINFET COMPORTANT DES AILETTES SANS FUSION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/092846    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/063794
Date de publication : 19.06.2014 Date de dépôt international : 08.10.2013
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES [US/US]; New Orchard Road Armonk, NY 10504 (US)
Inventeurs : HE, Hong; (US).
TSENG, Chiahsun; (US).
WANG, Junli; (US).
YEH, Chun-Chen; (US).
YIN, Yunpeng; (US)
Mandataire : SULLIVAN, Sean, F.; Cantor Colburn LLP 20 Church S., 22nd Floor Hartford, CT 06103-3207 (US)
Données relatives à la priorité :
13/713,842 13.12.2012 US
Titre (EN) FINFET WITH MERGE-FREE FINS
(FR) FINFET COMPORTANT DES AILETTES SANS FUSION
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device comprises an insulation layer, an active semiconductor layer formed on an upper surface of the insulation layer, and a plurality of fins formed on the insulation layer. The fins are formed in the gate and spacer regions between a first source/drain region and second source/drain region, without extending into the first and second source/drain regions.
(FR)Selon la présente invention, un dispositif à semi-conducteur comprend une couche isolante, une couche semi-conductrice active formée sur la surface supérieure de la couche isolante, ainsi qu'une pluralité d'ailettes situées sur ladite couche isolante. Ces ailettes se trouvent dans les régions de grille et d'entretoise entre une première région de source/drain et une seconde région de source/drain, mais elles ne s'étendent pas dans les première et seconde régions de source/drain.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)