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1. (WO2014092807) CROISSANCE DE COUCHES MINCES D'OXYDE SEMI-CONDUCTRICES CRISTALLINES SUR UN SUBSTRAT À UNE FAIBLE TEMPÉRATURE À L'AIDE D'UN RAYONNEMENT DE MICRO-ONDES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/092807    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/054888
Date de publication : 19.06.2014 Date de dépôt international : 14.08.2013
CIB :
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01)
Déposants : BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM [US/US]; 201 West 7th Street Austin, TX 78701 (US)
Inventeurs : JAYAN, Baby, Reeja; (US).
MANTHIRAM, Arumugam; (US).
HARRISON, Katharine, L.; (US)
Mandataire : VOIGT, JR., Robert, A.; Winstead, P.c. P.O. Box 131851 Dallas, TX 75313 (US)
Données relatives à la priorité :
61/737,687 14.12.2012 US
Titre (EN) GROWING CRYSTALLINE SEMICONDUCTOR OXIDE THIN FILMS ON A SUBSTRATE AT A LOW TEMPERATURE USING MICROWAVE RADIATION
(FR) CROISSANCE DE COUCHES MINCES D'OXYDE SEMI-CONDUCTRICES CRISTALLINES SUR UN SUBSTRAT À UNE FAIBLE TEMPÉRATURE À L'AIDE D'UN RAYONNEMENT DE MICRO-ONDES
Abrégé : front page image
(EN)A method for growing crystalline semiconductor oxide thin films. A substrate is coated with a conducting oxide (e.g., indium tin oxide). The coated substrate is immersed in a growth solution, such as a solution of a titanium-based sol-gel precursor combined with tetraethylene glycol. The coated substrate and the growth solution are heated in a microwave reactor via microwave radiation. Film growth of crystalline semiconductor oxide thin films (e.g., titanium dioxide thin films) are then catalyzed by microwave interaction with the conducting oxide on the substrate. Such a process enables crystalline semiconductor oxide thin films to be grown on a flexible or heat-sensitive substrate (e.g., plastic) using a low temperature in a fast and inexpensive manner.
(FR)La présente invention a trait à un procédé permettant de réaliser la croissance de couches minces d'oxyde semi-conductrices cristallines. Un substrat est revêtu d'un oxyde conducteur (par exemple, de l'oxyde d'étain dopé à l'indium). Le substrat revêtu est immergé dans une solution de croissance, telle qu'une solution contenant un précurseur sol-gel à base de titane combiné à un tétraéthylèneglycol. Le substrat revêtu et la solution de croissance sont chauffés dans un réacteur à micro-ondes par l'intermédiaire d'un rayonnement de micro-ondes. La croissance des couches minces d'oxyde semi-conductrices cristallines (par exemple, des couches minces de dioxyde de titane) est ensuite catalysée par interaction de micro-ondes avec le conducteur d'oxyde sur le substrat. Un tel processus permet aux couches minces d'oxyde semi-conductrices cristallines d'être soumises à une croissance sur un substrat souple ou sensible à la chaleur (par exemple, du plastique) en utilisant une faible température de façon rapide et économique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)