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1. (WO2014092752) ENSEMBLE DIODE À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/092752    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/027245
Date de publication : 19.06.2014 Date de dépôt international : 22.02.2013
CIB :
H01L 29/861 (2006.01)
Déposants : DIODES INCORPORATED [US/US]; 4949 Hedgcoxe Road, Suite 200 Plano, TX 75024 (US)
Inventeurs : EARNSHAW, John; (GB).
KEMPER, Wolfgang; (US).
LIN, Yen-li; (US).
FRENCH, Mark; (GB).
BADCOCK, Stephen; (GB)
Mandataire : TUNG, Yingsheng; Diodes Incorporated Senior Counsel 4949 Hedgcoxe Road, Suite 200 Plano, TX 75024 (US)
Données relatives à la priorité :
13/713,243 13.12.2012 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DIODE ASSEMBLY
(FR) ENSEMBLE DIODE À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)TSV devices with p-n junctions that are planar have superior performance in breakdown and current handling. Junction diode assembly formed In enclosed trenches occupies less chip area compared with junction-isolation diode assembly In the known art. Diode assembly fabricated with trenches formed after the junction formation reduces fabrication cost and masking steps increase process flexibility and enable asymmetrical TSV and uni-directional TSV functions.
(FR)Selon l'invention, des dispositifs TSV dotés de jonctions p-n planars présentent des performances supérieures en termes de claquage et de gestion du courant. Un ensemble diode à jonction formé dans des tranchées fermées occupe une plus petite surface de puce qu'un ensemble diode à isolement par jonction selon l'état de la technique. Un ensemble diode comportant des tranchées créées après la formation de jonction réduit le coût de fabrication ainsi que les étapes de masquage, il accroît la flexibilité du processus, et il permet d'obtenir des fonctions TSV asymétriques et des fonctions TSV unidirectionnelles.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)