WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2014092541) PROCÉDÉ DE LIBÉRATION D'UN DISPOSITIF DE SYSTÈME MICROÉLECTROMÉCANIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/092541    N° de la demande internationale :    PCT/MY2013/000242
Date de publication : 19.06.2014 Date de dépôt international : 09.12.2013
CIB :
B81C 1/00 (2006.01)
Déposants : MIMOS BERHAD [MY/MY]; Technology Park Malaysia Kuala Lumpur, 57000 (MY)
Inventeurs : MUHAMAD RAMDZAN, Buyong; (MY).
AZLINA, Mohd Zain; (MY).
SHAIDI, Yasin; (MY).
ABDUL HALIM, Adom; (MY)
Mandataire : NORUNNUHA, Nawawi; Norunnuha Sdn Bhd, No.17-2 Jalan Medan Pusat 2d, Persiaran Bangi, Bandar Baru Bangi, Selangor, 43650 (MY)
Données relatives à la priorité :
PI2012005323 10.12.2012 MY
Titre (EN) A METHOD FOR RELEASING MEMS DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE LIBÉRATION D'UN DISPOSITIF DE SYSTÈME MICROÉLECTROMÉCANIQUE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a method for releasing a MEMS device which provides a complete dry release method to prevent stiction or adhesion problem during the MEMS device release process. Adopting an all-dry processing avoids the need to perform rinsing and drying process steps during fabrication. The release process is divided into two parts i.e. the backside release (200) and the front side release process (300).
(FR)La présente invention concerne un procédé de libération d'un dispositif de système microélectromécanique (MEMS) qui fournit un procédé complet de libération en atmosphère sèche afin d'empêcher un problème de frottement ou d'adhérence pendant le processus de libération du dispositif MEMS. Le fait d'adopter un processus tout en atmosphère sèche évite d'avoir à effectuer des étapes de processus de rinçage et de séchage pendant la fabrication. Le processus de libération est divisé en deux parties, c'est-à-dire la libération (200) côté arrière et le processus (300) de libération côté avant.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)