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1. (WO2014092320) PROCÉDÉ PERMETTANT DE FAIRE CROÎTRE DES COUCHES DE SEMICONDUCTEUR À BASE DE NITRURE DE GALLIUM ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/092320    N° de la demande internationale :    PCT/KR2013/009021
Date de publication : 19.06.2014 Date de dépôt international : 10.10.2013
CIB :
H01L 21/20 (2006.01), H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/04 (2010.01), H01L 33/06 (2010.01)
Déposants : SEOUL VIOSYS CO., LTD. [KR/KR]; 1B-36, 727-5, Wonsi-dong, Danwon-gu, Ansan-si Gyeonggi-do 425-851 (KR)
Inventeurs : CHOI, Seung Kyu; (KR).
KWAK, Woo Chul; (KR).
KIM, Chae Hon; (KR).
JUNG, Jung Whan; (KR)
Mandataire : AIP PATENT & LAW FIRM; 30-1, Teheran-ro 14-gil Gangnam-gu Seoul 135-935 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2012-0142550 10.12.2012 KR
Titre (EN) METHOD OF GROWING GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR LAYERS AND METHOD OF FABRICATING LIGHT EMITTING DEVICE THEREWITH
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE FAIRE CROÎTRE DES COUCHES DE SEMICONDUCTEUR À BASE DE NITRURE DE GALLIUM ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT
Abrégé : front page image
(EN)Exemplary embodiments of the present invention relate to a method of growing gallium nitride-based semiconductor layers through metal-organic chemical vapor deposition, including disposing a substrate in a chamber, growing a first conductivity-type gallium nitride-based semiconductor layer on the substrate at a first chamber pressure, growing a gallium nitride-based active layer on the first conductivity-type gallium nitride-based semiconductor layer at a second chamber pressure higher than the first chamber pressure, and growing a second conductivity-type gallium nitride-based semiconductor layer on the active layer at a third chamber pressure lower than the second chamber pressure.
(FR)Des modes de réalisation illustratifs de la présente invention portent sur un procédé permettant de faire croître des couches de semiconducteur à base de nitrure de gallium par dépôt chimique en phase vapeur à partir de composés organométalliques, ledit procédé comprenant le dépôt d'un substrat dans une chambre, la croissance d'une couche de semiconducteur à base de nitrure de gallium de premier type de conductivité sur le substrat à une première pression de chambre, la croissance d'une couche active à base de nitrure de gallium sur la couche de semiconducteur à base de nitrure de gallium de premier type de conductivité à une deuxième pression de chambre, supérieure à la première pression de chambre, et la croissance d'une couche de semiconducteur à base de nitrure de gallium de second type de conductivité sur la couche active à une troisième pression de chambre, inférieure à la deuxième pression de chambre.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)