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1. (WO2014092224) ELÉMENT DE RÉSISTANCE BISTABLE À 2 BORNES ASYMÉTRIQUES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/092224    N° de la demande internationale :    PCT/KR2012/010972
Date de publication : 19.06.2014 Date de dépôt international : 15.12.2012
CIB :
H01L 27/105 (2006.01), H01L 27/108 (2006.01), H01L 21/8242 (2006.01)
Déposants : KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY [KR/KR]; 373-1 Guseong-dong Yuseong-gu Daejeon 305-701 (KR)
Inventeurs : CHOI, Yang-kyu; (KR).
MOON, Dong-il; (KR).
CHOI, Sung-jin; (KR)
Mandataire : PARK, Young-Zoon; 5F, Taeheung Bldg., 1719-3 Seocho3-dong Seocho-gu Seoul 137-885 (KR)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) ASYMMETRICAL 2-TERMINAL BIRISTOR ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING SAME
(FR) ELÉMENT DE RÉSISTANCE BISTABLE À 2 BORNES ASYMÉTRIQUES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(KO) 비대칭 2-단자 바이리스터 소자와 그 제작 방법
Abrégé : front page image
(EN)An embodiment of the present invention relates to an asymmetrical 2-terminal biristor element and a method of manufacturing same. The asymmetrical 2-terminal biristor element according to the embodiment comprises: a substrate; a first semiconductor layer formed on the substrate; a second semiconductor layer formed on the first semiconductor layer; a third semiconductor layer formed on the second semiconductor layer; a first conductive layer electrically connected to the first semiconductor layer; and a second conductive layer electrically connected to the third semiconductor layer, wherein the second semiconductor layer has a first impurity region and a second impurity region, and the concentration of the first impurity region is greater than the concentration of the second impurity region.
(FR)La présente invention concerne un élément de résistance bistable à 2 bornes asymétriques et un procédé de fabrication de celui-ci. Selon une forme de réalisation, l'élément de résistance bistable à 2 bornes asymétriques comprend : un substrat ; une première couche semi-conductrice, formée sur le substrat ; une deuxième couche semi-conductrice, formée sur la première couche semi-conductrice ; une troisième couche semi-conductrice, formée sur la deuxième couche semi-conductrice ; une première couche conductrice, connectée électriquement à la première couche semi-conductrice ; et une deuxième couche conductrice, connectée électriquement à la troisième couche semi-conductrice, la deuxième couche semi-conductrice comportant une première région d'impuretés et une seconde région d'impuretés, la concentration d'impuretés de la première région étant supérieure à celle de la seconde.
(KO)본 발명의 실시 예는 비대칭 2-단자 바이리스터 소자와 그 제작 방법에 관한 것이다. 실시 예에 따른 비대칭 2-단자 바이리스터 소자는, 기판; 상기 기판 상에 형성된 제1반도체 층; 상기 제1반도체 층 상에 형성된 제2반도체 층; 상기 제2반도체 층 상에 형성된 제3반도체 층; 상기 제1반도체 층과 전기적으로 연결된 제1전도층; 및 상기 제3반도체 층과 전기적으로 연결된 제2전도층;을 포함하고, 상기 제2반도체 층은 제1불순물 영역과 제2불순물 영역을 갖고, 상기 제1불순물 영역의 농도는 상기 제2불순물 영역의 농도보다 크다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)