WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2014092192) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR D'OXYDE, PROCESSUS DE PRODUCTION D'UN ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR D'OXYDE, ÉCRAN, CAPTEUR D'IMAGE ET CAPTEUR RADIOGRAPHIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/092192    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/083529
Date de publication : 19.06.2014 Date de dépôt international : 13.12.2013
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), C23C 14/06 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01), G09F 9/30 (2006.01), H01L 27/144 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/14 (2006.01)
Déposants : FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
Inventeurs : MOCHIZUKI, Fumihiko; (JP).
TANAKA, Atsushi; (JP).
SUZUKI, Masayuki; (JP)
Mandataire : NAKAJIMA, Jun; TAIYO, NAKAJIMA & KATO, Seventh Floor, HK-Shinjuku Bldg., 3-17, Shinjuku 4-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-273995 14.12.2012 JP
Titre (EN) OXIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT, PROCESS FOR PRODUCING OXIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT, DISPLAY DEVICE, IMAGE SENSOR AND X-RAY SENSOR
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR D'OXYDE, PROCESSUS DE PRODUCTION D'UN ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR D'OXYDE, ÉCRAN, CAPTEUR D'IMAGE ET CAPTEUR RADIOGRAPHIQUE
(JA) 酸化物半導体素子、酸化物半導体素子の製造方法、表示装置、イメージセンサ及びX線センサ
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is an oxide semiconductor element which has: an oxide semiconductor layer that contains at least one element selected from the group consisting of In, Zn, Ga and Sn; one pair of electrodes which can be electrically connected to each other through the oxide semiconductor layer; and an insulation protection layer. The insulation protection layer has a laminate structure which is composed of at least three layers and which is laminated on the oxide semiconductor layer. In the laminate structure, the first layer (24(1)) adjacent to the oxide semiconductor layer exhibits an absolute refractive index lower than that of the oxide semiconductor layer, while the second layer (24(2)) exhibits an absolute refractive index higher than that of the first layer (24(1)). In the second layer and the subsequent layers, the higher-lower relationships of absolute refractive index which are each between a layer and the precedent layer are alternately different. When the thickness of each layer, inclusive of the first layer (24(1)), is d(k) (nm) (wherein k represents the kth from the oxide semiconductor layer side) and the absolute refractive index of each layer is n(k), the insulation protection layer satisfies the relationship: 400(nm)/4n(k) ≤ d(k) (nm) ≤ 450(nm)/4n(k). Further, a process for producing an oxide semiconductor element and applications thereof are disclosed.
(FR)Pi un élément semi-conducteur d'oxyde qui est doté : d'une couche semi-conductrice d'oxyde qui contient au moins un élément choisi dans le groupe comprenant In, Zn, Ga et Sn ; d'une paire d'électrodes qui peuvent être électriquement connectées l'une à l'autre au moyen de la couche semi-conductrice d'oxyde ; et d'une couche de protection isolante. La couche de protection isolante est pourvue d'une structure de stratifié qui est constituée d'au moins trois couches et qui est stratifiée sur la couche semi-conductrice d'oxyde. Dans la structure de stratifié, la première couche (24(1)) qui est adjacente à la couche semi-conductrice d'oxyde présente un indice de réfraction absolu inférieur à celui de la couche semi-conductrice d'oxyde, tandis que la deuxième couche (24(2)) présente un indice de réfraction absolu supérieur à celui de la première couche (24(1)). Dans la deuxième couche et les couches subséquentes, les relations supérieure/inférieure de l'indice de réfraction absolu qui se situent chacune entre une couche et la couche précédente sont alternativement différentes. Lorsque l'épaisseur de chaque couche, la première couche (24(1)) incluse, est d(k) (nm) (où k représente la ke à partir du côté de la couche semi-conductrice d'oxyde) et que l'indice de réfraction absolu de chaque couche est n(k), la couche de protection isolante satisfait la relation suivante : 400(nm)/4n(k) ≤ d(k) (nm) ≤ 450(nm)/4n(k). D'autre part, la présente invention a également trait à un processus de production d'un élément semi-conducteur d'oxyde et à ses applications.
(JA) In,Zn,Ga及びSnからなる群から選ばれる少なくとも1種を含む酸化物半導体層と、酸化物半導体層を介して導通可能な一対の電極と、酸化物半導体層に積層された3層以上の積層構造を有し、酸化物半導体層と隣接する1層目24(1)は酸化物半導体層よりも絶対屈折率が低く、2層目24(2)は1層目24(1)よりも絶対屈折率が高く、且つ、2層目以降の各層はその前の層との絶対屈折率の高低関係が交互に異なり、1層目24(1)を含む各層の厚みをd(k)(nm)とし(k:酸化物半導体層側からの積層の順番)、各層の絶対屈折率をn(k)としたとき、400(nm)/4n(k)≦d(k)(nm)≦450(nm)/4n(k)を満たす絶縁保護層と、を有する酸化物半導体素子、酸化物半導体素子の製造方法及びその応用。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)