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1. (WO2014092160) APPAREIL DE TRAITEMENT DE LIQUIDE DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE LIQUIDE DE SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/092160    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/083367
Date de publication : 19.06.2014 Date de dépôt international : 12.12.2013
CIB :
H01L 21/304 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP)
Inventeurs : FUKUDA Masahiro; (JP).
KUBO Akihiro; (JP).
YAMAMOTO Taro; (JP).
YADA Kenzi; (JP).
OOKOUCHI Atsushi; (JP)
Mandataire : KATSUNUMA Hirohito; Kyowa Patent & Law Office, Nippon Life Marunouchi Building, Marunouchi 1-6-6, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-271880 13.12.2012 JP
Titre (EN) SUBSTRATE LIQUID PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE LIQUID PROCESSING METHOD
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT DE LIQUIDE DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE LIQUIDE DE SUBSTRAT
(JA) 基板液処理装置及び基板液処理方法
Abrégé : front page image
(EN)A substrate liquid processing apparatus is provided with a revolving chuck (13) that holds a wafer, a rear surface purge nozzle (15) that sprays purge gas toward the rear surface of the wafer, and an edge purge nozzle (16) that sprays purge gas onto the rear surface of the wafer. The rear surface purge nozzle has slit-shaped openings (15a) that, in plan view, extend from the center of a substrate towards the edge, and the vertical distance between these slit-shaped openings and the substrate that is supported by the chuck widens closer to the end of the openings on the substrate center side. The edge purge nozzle sprays purge gas toward the center of the substrate toward a region, on the rear surface of the wafer that is to the outside of the end of the substrate edge side of the slit-shaped openings of the rear surface purge nozzle, and to the inside of the end surface of the edge of the substrate.
(FR)La présente invention porte sur un appareil de traitement de liquide de substrat qui comporte un mandrin tournant (13) qui soutient une tranche de semi-conducteur, une buse de purge de surface arrière (15) qui pulvérise un gaz de purge vers la surface arrière de la tranche de semi-conducteur, et une buse de purge de bord (16) qui pulvérise un gaz de purge sur la surface arrière de la tranche de semi-conducteur. La buse de purge de surface arrière a des ouvertures en forme de fente (15a) qui, dans une vue en plan, s'étendent depuis le centre d'un substrat vers le bord, et la distance verticale entre ces ouvertures en forme de fente et le substrat qui est soutenu par le mandrin s'élargit plus proche de l'extrémité des ouvertures sur le côté de centre de substrat. La buse de purge de bord pulvérise un gaz de purge vers le centre du substrat vers une région, sur la surface arrière de la tranche de semi-conducteur qui est à l'extérieur de l'extrémité du côté de bord de substrat des ouvertures en forme de fente de la buse de purge de surface arrière, et à l'intérieur de la surface d'extrémité du bord du substrat.
(JA) 基板液処理装置は、ウエハを保持して回転するチャック(13)と、ウエハの裏面に向けてパージガスを吹き付ける裏面パージノズル(15)と、パージガスをウエハの裏面に吹き付ける周縁パージノズル(16)とを備えている。裏面パージノズルは、平面視で基板の中心側から周縁側に延びるスリット状の開口部(15a)を有し、このスリット状の開口部とチャックにより保持された基板との間の鉛直方向距離は、当該開口部の基板中心側の端部に近づくに従って広くなっている。周縁パージノズルは、基板の裏面のうちの、裏面パージノズルのスリット状の開口部の基板周縁側の端部よりも外側であって、かつ、基板の周縁の端面よりも内側にある領域に向けて、パージガスを基板の中心部に向けて吹き付ける。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)