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1. (WO2014092155) COMPOSITION DE FORMATION DE FILM DE SOUS-COUCHE DE RÉSIST COMPRENANT UNE RÉSINE NOVOLAQUE DE NOYAU POLYHYDROXY AROMATIQUE CONTENANT UN CARBONYLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/092155    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/083345
Date de publication : 19.06.2014 Date de dépôt international : 12.12.2013
CIB :
G03F 7/11 (2006.01), C08G 8/04 (2006.01), G03F 7/26 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 7-1, Kanda-Nishiki-cho 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010054 (JP)
Inventeurs : SOMEYA, Yasunobu; (JP).
KARASAWA, Ryo; (JP).
HASHIMOTO, Keisuke; (JP).
SHINJO, Tetsuya; (JP).
SAKAMOTO, Rikimaru; (JP)
Mandataire : HANABUSA, Tsuneo; c/o Hanabusa Patent Office, Shin-Ochanomizu Urban Trinity, 2, Kandasurugadai 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010062 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-273519 14.12.2012 JP
Titre (EN) RESIST UNDERLAYER FILM-FORMING COMPOSITION COMPRISING CARBONYL-CONTAINING POLYHYDROXY AROMATIC RING NOVOLAC RESIN
(FR) COMPOSITION DE FORMATION DE FILM DE SOUS-COUCHE DE RÉSIST COMPRENANT UNE RÉSINE NOVOLAQUE DE NOYAU POLYHYDROXY AROMATIQUE CONTENANT UN CARBONYLE
(JA) カルボニル基含有ポリヒドロキシ芳香環ノボラック樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物
Abrégé : front page image
(EN)[Problem] To provide a resist underlayer film that is used in a lithographic process, said resist underlayer film having highly resistance to dry etching, wiggling resistance, heat resistance, and the like. [Solution] Formula (1): This resist underlayer film-forming composition for lithography contains a polymer comprising the structural unit of formula (1). (In formula (1), A represents a hydroxy group-substituted arylene group with 6 to 40 carbon atoms derived from a polyhydroxy aromatic compound. B represents an arylene group with 6 to 40 carbon atoms, or a heterocyclic group with 4 to 30 carbon atoms, which contains a nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom, or a combination thereof. X+ represents H+, NH4+, a primary ammonium ion, a secondary ammonium, a tertiary ammonium ion, or a quaternary ammonium ion. T represents a hydrogen atom; or an alkyl group with 1 to 10 carbon atoms or an aryl group with 6 to 40 carbon atoms having, as optional substituents, a halogen group, a hydroxy group, a nitro group, an amino group, a carboxylic acid ester group and a nitrile group, or a combination thereof; or a heterocyclic group with 4 to 30 carbon atoms, which contains a nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom, or a combination thereof. B and T may form a ring with 4 to 40 carbon atoms in combination with a carbon atom that binds B and T.)
(FR)L'invention a pour objet de proposer un film de sous-couche de résist qui est utilisé dans un procédé lithographique, ledit film de sous-couche de résiste ayant une résistance élevée à la gravure au plasma, une résistance à la torsion, une résistance à la chaleur et similaire. Formule (1) : cette composition de formation de film de sous-couche de résist pour lithographie contient un polymère comprenant l'unité structurale de formule (1). (Dans la formule (1), A représente un groupe arylène substitué par un groupe hydroxy comprenant 6 à 40 atomes de carbone issus d'un composé polyhydroxy aromatique. B représente un groupe arylène comprenant 6 à 40 atomes de carbone ou un groupe hétérocyclique comprenant 4 à 30 atomes de carbone, qui contient un atome d'azote, un atome d'oxygène, un atome de soufre ou une combinaison de ceux-ci. X+ représente H+, NH4+, un ion ammonium primaire, un ion ammonium secondaire, un ion ammonium tertiaire ou un ion ammonium quaternaire. T représente un atome d'hydrogène ; ou un groupe alkyle comprenant 1 à 10 atomes de carbone ou un groupe aryle ayant 6 à 40 atomes de carbone comprenant, comme substituants facultatifs, un groupe halogène, un groupe hydroxy, un groupe nitro, un groupe amino, un groupe ester d'acide carboxylique et un groupe nitrile, ou une combinaison de ceux-ci ; ou un groupe hétérocyclique comprenant 4 à 30 atomes de carbone, qui contient un atome d'azote, un atome d'oxygène, un atome de soufre ou une combinaison de ceux-ci. B et T peuvent former un noyau comprenant 4 à 40 atomes de carbone en combinaison avec un atome de carbone qui lie B et T).
(JA)【課題】 高いドライエッチング耐性、ウイグリング耐性、耐熱性等を有するリソグラフィー工程に用いられるレジスト下層膜を提供する。 【解決手段】 式(1): (式(1)中、Aはポリヒドロキシ芳香族化合物に由来する炭素数6乃至40のヒドロキシ基置換アリーレン基を示し、Bは炭素数6乃至40のアリーレン基又は窒素原子、酸素原子、硫黄原子もしくはこれらの組み合わせを含む炭素数4乃至30の複素環基を示し、XはH、NH、第1級アンモニウムイオン、第2級アンモニウムイオン、第3級アンモニウムイオン、又は第4級アンモニウムイオンを示し、Tは水素原子、又はハロゲン基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アミノ基、カルボン酸エステル基、ニトリル基、もしくはこれらの組み合わせた置換基で置換されていても良い炭素数1乃至10のアルキル基、炭素数6乃至40のアリール基又は窒素原子、酸素原子、硫黄原子もしくはこれらの組み合わせを含む炭素数4乃至30の複素環基を示し、BとTはそれらが結合する炭素原子と一緒になって炭素数4乃至40の環を形成してもよい。)の単位構造を含むポリマーを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)